[实用新型]一种单晶炉有效
申请号: | 201320141001.9 | 申请日: | 2013-03-26 |
公开(公告)号: | CN203212666U | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 方金永;王闽;王良文;毛水祥;周敏 | 申请(专利权)人: | 浙江虹宇电子科技有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B35/00 |
代理公司: | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人: | 陈继亮 |
地址: | 324100 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单晶炉 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种单晶炉。
背景技术
目前,大多数单晶炉的热场设计是在上保温盖下垫一层碳毡,而这种设计保温效果仍然不佳,导致加热器功率较高,一般在50~60KW/小时,功耗很大。
发明内容
本实用新型的目的是提供能降低功耗的一种单晶炉。
本实用新型采取的技术方案是:一种单晶炉,包括保温筒、上保温盖、导流筒、加热器、三瓣坩埚、下保温碳毡和炉底护盘;三瓣坩埚位于加热器内;保温筒位于加热器外且架在炉底护盘上;导流筒位于三瓣坩埚之上且在保温筒内;下保温碳毡铺设在炉底护盘上,其特征在于在上保温盖与导流筒之间设有增高环,在增高环的外围以及上保温盖与导流筒之间铺设有若干层的上保温碳毡。
采用本实用新型,由于增设了增高环,可以在上保温盖下增加保温碳毡,提高了单晶炉的上部保温效果,可降低加热器的功耗。
附图说明
图1为本实用新型的示意图。
图中的序号表示:增高环1、上保温盖2、上保温碳毡3、导流筒4、保温筒5、三瓣坩埚6、加热器7、下保温碳毡8和炉底护盘9。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本实用新型作进一步说明。
参照图1,该单晶炉包括保温筒5、上保温盖2、导流筒4、加热器7、三瓣坩埚6、下保温碳毡8和炉底护盘9;三瓣坩埚6位于加热器7内;保温筒5位于加热器7外且架在炉底护盘9上;导流筒4位于三瓣坩埚6之上且在保温筒5内;下保温碳毡8铺设在炉底护盘9上,其特征在于在上保温盖2与导流筒4之间设有增高环1,在增高环1的外围以及上保温盖2与导流筒4之间铺设有若干层的上保温碳毡3。由于增设了增高环1,可以在上保温盖2下增加上保温碳毡3,提高了单晶炉的上部保温效果,可降低加热器的功耗。
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