[实用新型]保温基座及LPCVD炉管

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造设备技术领域，特别涉及一种保温基座及LPCVD炉管。

背景技术

在半导体制造工艺中，为了形成各种分立器件以及将这些分立器件连接形成集成电路，需要在晶圆的衬底上沉积不同种类的薄膜。而在各种沉积薄膜的方法中，低压化学气相沉积（LPCVD，Low Pressure Chemical Vapor Deposition）是一种常用的方法，已经被广泛地应用于各种薄膜的沉积工艺中。

以所需沉积的薄膜为侧墙结构为例，在现有技术中的侧墙二氧化硅（Spacer Silicon Oxide）、侧墙氮化硅（Spacer Silicon Nitride）沉积方法中，通常会使用上述的LPCVD工艺，以在晶圆（Wafer）上沉积所需的侧墙结构，例如，形成具有氧化层-氮化层-氧化层（ONO）三层结构的侧墙结构，或具有氧化层-氮化层（ON）两层结构的侧墙结构等。当通过LPCVD工艺来沉积所需的薄膜（例如，侧墙结构）时，一般还需要使用相应的炉管，即LPCVD炉管。

请参考图1，其为现有的LPCVD炉管结构示意图。如图1所示，所述LPCVD炉管1包括：固定基座10、内管11、外管12、保温基座13及晶舟14，其中，所述外管12置于所述内管11外侧，所述内管11与所述固定基座10构成容置空间15，所述保温基座13及晶舟14置于所述容置空间15内，且所述晶舟14置于所述保温基座13上。

通过所述LPCVD炉管1沉积所需的薄膜时，所述晶舟14中靠近所述保温基座13的部分晶圆，易于发生所沉积的薄膜厚度不均匀的问题。现有技术中，调整薄膜厚度均匀性的方法主要包括：改变保温基座13与晶舟14的相对位置；及改变保温基座13在固定基座10上的位置。实际生产中发现，通过上述两种方法还是不能够很好地改善晶舟14中靠近所述保温基座13的部分晶圆所沉积的薄膜厚度不均匀的问题。

因此，如何改善/解决晶舟中靠近保温基座的部分晶圆所沉积的薄膜厚度不均匀的问题，成了本领域技术人员亟待解决一大难题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种保温基座及LPCVD炉管，以解决利用现有的LPCVD炉管沉积薄膜时，晶舟中靠近保温基座的部分晶圆所沉积的薄膜厚度不均匀的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种保温基座，所述保温基座包括：两个支撑板；至少两个支撑柱，每个支撑柱均与两个支撑板连接，每个支撑柱上固定有支撑块；及设置于所述支撑块上的保温片。

可选的，在所述的保温基座中，支撑柱的数量为三个。

可选的，在所述的保温基座中，两个支撑板的形状均为圆形。

可选的，在所述的保温基座中，三个支撑柱分别位于两个支撑板的三等分位置上。

可选的，在所述的保温基座中，每个支撑柱上固定有多个支撑块，且每个支撑柱上固定的支撑块数量相同。

可选的，在所述的保温基座中，每个支撑柱上相邻两个支撑块的距离为1毫米～5毫米。

可选的，在所述的保温基座中，各支撑柱上相对位置相同的支撑块位于同一水平面上。

可选的，在所述的保温基座中，每个支撑块上设置有多个刻度格。

可选的，在所述的保温基座中，每个支撑块上相邻两个刻度格之间的距离为0.5毫米～2毫米。

本实用新型还提供一种LPCVD炉管，所述LPCVD炉管包括：固定基座、内管、外管、如上所述的保温基座及晶舟，其中，所述外管置于所述内管外侧，所述内管与所述固定基座构成容置空间，所述保温基座及晶舟置于所述容置空间内，且所述晶舟置于所述保温基座上。

在本实用新型提供的保温基座及LPCVD炉管中，可通过改变保温基座与晶舟的相对位置，改变保温基座在固定基座上的位置，及改变保温片的位置，以调整晶圆上沉积的薄膜厚度均匀性，从而可改善/解决晶舟中靠近保温基座的部分晶圆所沉积的薄膜厚度不均匀的问题，提高了LPCVD工艺的可靠性及所形成的器件的质量。

附图说明

图1是现有的LPCVD炉管结构示意图；

图2是本实用新型实施例的保温基座结构示意图；

图3是本实用新型实施例的LPCVD炉管结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的保温基座及LPCVD炉管作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

【实施例一】