[实用新型]具有温度曲率补偿的基准电压源有效

专利信息
申请号: 201320146642.3 申请日: 2013-03-27
公开(公告)号: CN203102063U 公开(公告)日: 2013-07-31
发明(设计)人: 杨保顶 申请(专利权)人: 四川和芯微电子股份有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610041 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 具有 温度 曲率 补偿 基准 电压
【权利要求书】:

一种具有温度曲率补偿的基准电压源,其特征在于,包括电流求和电路及分别和所述电流求和电路连接的基‑射极电流产生电路、与绝对温度成正比的电流产生电路、非线性电流产生电路、电流转换电路,所述与绝对温度成正比的电流产生电路产生并输出一个与温度变化趋势相同的第一电流,所述基‑射极电流产生电路产生并输出一个与温度变化趋势相反的第二电流,所述非线性电流产生电路产生并输出一个与温度相关的非线性的第三电流,且所述第一电流、所述第二电流及所述第三电流均输入至所述电流求和电路,所述电流求和电路将三个电流相加并得到一个与温度无关的第四电流,所述第四电流输入至所述电流转换电路,所述电流转换电路将所述第四电流转换为基准电压输出。

如权利要求1所述的具有温度曲率补偿的基准电压源,其特征在于,所述与绝对温度成正比的电流产生电路包括放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第二三极管及第三三极管,所述放大器的输出端与所述电流求和电路连接,其反向输入端分别与所述第一电阻的一端及所述第三电阻的一端连接,所述放大器的正向输入端分别与所述第二电阻的一端及所述第四电阻的一端连接,所述第三电阻的另一端与所述第四电阻的另一端均接地,所述第一电阻的另一端与所述第二三极管的发射极连接,所述第二三极管的基极与集电极均接地,所述第二电阻的另一端与所述第五电阻的一端连接,所述第五电阻的另一端与所述第三三极管的发射极连接,所述第三三极管的基极与集电极均接地,且所述与绝对温度成正比的电流产生电路分别通过所述第二三极管与所述第三三极管产生第一电流。

如权利要求2所述的具有温度曲率补偿的基准电压源,其特征在于,所述第一电阻与所述第二电阻的阻值相等,且所述第三电阻与所述第四电阻的阻值相等,所述第三三极管与所述第二三极管面积的比值为n,n为大于1的整数。

如权利要求2所述的具有温度曲率补偿的基准电压源,其特征在于,所述第一电阻、所述第三电阻及所述第二三极管构成所述基‑射极电流产生电路,且通过所述第一电阻产生所述第二电流。

如权利要求3所述的具有温度曲率补偿的基准电压源,其特征在于,所述非线性电流产生电路包括第一三极管、第四三极管、第三场效应管、第四场效应管、第七电阻及第八电阻,所述第三场效应管的源极与外部电源连接,其栅极与所述电流求和电路及所述与绝对温度成正比的电流产生电路中放大器的输出端连接,其漏极与所述第七电阻的一端及所述第一三极管的发射极连接,所述第一三极管的基极与集电极均接地,所述第七电阻的另一端与所述第二三极管的发射极及所述第一电阻的另一端连接,所述第四场效应管的源极与外部电源连接,其栅极与所述电流求和电路及所述与绝对温度成正比的电流产生电路中放大器的输出端连接,其漏极与所述第八电阻的一端及所述第四三极管的发射极连接,所述第四三极管的基极及集电极均接地,所述第八电阻的另一端分别与所述第二电阻的另一端及第五电阻的一端连接,且所述非线性电流产生电路分别在所述第七电阻及所述第八电阻上产生第三电流。

如权利要求5所述的具有温度曲率补偿的基准电压源,其特征在于,所述电流求和电路包括第一场效应管与第二场效应管,所述第一场效应管及所述第二场效应管的源极均与外部电源连接,所述第一场效应管的栅极、所述第二场效应管的栅极及所述第三场效应管的栅极与所述电流转换电路连接,所述第一场效应管的漏极分别与所述第一电阻的另一端、所述第七电阻的另一端及所述第二三极管的发射极共同连接,所述第二场效应管的漏极分别与所述第二电阻的另一端、所述第八电阻的另一端及所述第五电阻的一端共同连接。

如权利要求6所述的具有温度曲率补偿的基准电压源,其特征在于,所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第三场效应管及所述第四场效应管具有相同的参数特征。

如权利要求7所述的具有温度曲率补偿的基准电压源,其特征在于,所述电流转换电路包括第五场效应管与第六电阻,所述第五场效应管的源极与外部电源连接,其栅极分别和所述第一场效应管的栅极、所述第二场效应管的栅极、所述第三场效应管的栅极及第四场效应管的栅极连接,第五场效应管的漏极与所述第六电阻的一端及外部输出端连接,所述第六电阻的另一端接地。

如权利要求8所述的具有温度曲率补偿的基准电压源,其特征在于,所述第五场效应管与第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管及第四场效应管具有相同的参数特征。

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