[实用新型]电磁炉同步检流电路有效
申请号: | 201320146735.6 | 申请日: | 2013-03-28 |
公开(公告)号: | CN203163005U | 公开(公告)日: | 2013-08-28 |
发明(设计)人: | 柳翼 | 申请(专利权)人: | 长沙理工大学 |
主分类号: | F24C7/00 | 分类号: | F24C7/00;F24C7/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410004 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电磁炉 同步 流电 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种检测电路,尤其是涉及一种用于电磁炉的同步检流电路。
背景技术
如图1所示现有电磁炉的同步检流电路,包括整流桥堆、扼流电感、滤波电容、感应线盘、谐振电容、电压比较器、高耐压电阻和电容等。该电路的特点是元器件数量多、体积大、电路结构复杂。并且,由于需要的元器件数量相对较多,而导致其成本高、体积大且可靠性低,另外由于电路结构复杂,抗干扰性能不易控制、硬件设计调试及维修难度大,因而要求开发调试及维修人员必须具有较高技术水平。
实用新型内容
为解决现有技术的问题,本实用新型提出一种电路结构简单、电流跟踪信号的准确性高、抗干扰能力较强的电磁炉同步检流电路。
本实用新型采用如下技术方案实现:一种电磁炉同步检流电路,包括:整流桥电路、连接在整流桥电路输出端的扼流电感和滤波电容,与扼流电感串接的感应线圈,以及与感应线圈并联的谐振电容;集电极连接在感应线圈与谐振电容公共端、发射极接地的功率晶体管;功率晶体管的集电极与地之间连接采样电容和稳压二极管;且采样电容和稳压二极管的公共端耦接开关器件控制电路,而该开关器件控制电路的一个控制端连接功率晶体管的栅极。
其中,稳压二极管的阴极连接二极管的阴极,而二极管的阳极通过一个电阻连接外部电源VCC,且二极管的阳极连接开关器件控制电路。
其中,开关器件控制电路为单片机,其一个控制端通过一个电阻连接功率晶体管的栅极。
与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:
本实用新型通过捕捉谐振电容C3与感应线圈L2的电流换向点可以获得功率晶体管IGBT1两端电压的极点,那么通过此信号来控制功率晶体管IGBT1在电压低极点导通,就可以达到功率晶体管软开关的目的,从而减少损耗,并且增加可靠性。
附图说明
图1是现有同步检流电路的示意图;
图2是本实用新型同步检流电路的示意图。
具体实施方式
如图2所示,在一个实施例中,本实用新型提出的同步检流电路包括:对输入交流电压进行整流处理的整流桥电路,该整流桥电路的其中一输出端串接一个用于扼制突变电流的扼流电感L1,在整流桥电路的两个输出端之间连接滤波电容C1,滤波电容C1与所述扼流电感L1搭配,对整流桥电路的输出电压进行滤波;与扼流电感L1串接的感应线圈L2,以及与感应线圈L2并联的谐振电容C3;且感应线圈L2与谐振电容C3的公共端连接功率晶体管IGBT1的集电极(C),该功率晶体管IGBT1的发射极(E)接地、栅极(G)连接开关器件控制电路;功率晶体管IGBT1的集电极通过采样电容C2、稳压二极管Z1接地,其中,采样电容C2的另一端连接稳压二极管Z1的阴极,稳压二极管Z1的阳极连地;采样电容C2采用的电流信号传送至开关器件控制电路,由开关器件控制电路控制功率晶体管IGBT1的CE之间电压为低极点时导通,从而减少损耗,并且增加可靠性。
其中,稳压二极管Z1的阴极连接二极管D1的阴极,而二极管D1的阳极通过电阻R1连接外部电源VCC,且二极管D1的阳极连接开关器件控制电路。
在一个优选实施例中,开关器件控制电路为单片机实现的微控制器,其一个控制端通过电阻连接功率晶体管IGBT1的栅极。
在功率晶体管IGBT1为关断状态时,当所述感应线圈L2电流中流向为由左至右(即图2所示中,电路由所述滤波电容C1流向采样电容C2的方向)时,电流由所述感应线圈L2流入所述谐振电容C3和采样电容C2中,此时稳压二极管Z1反向击穿,其阴极输出为高电平。当所述感应线圈L2中电流流向为由右至左(由采样电容C2流向至所述滤波电容C1的方向)时,电流由所述谐振电容C3和采样电容C2流入所述感应线圈L2中,此时稳压二极管Z1正向导通,其阴极电压为低电平。
随着电流方向的改变,稳压二极管Z1的阴极电压也就输出相应电平变化,并由此可测知电流换向点。当所述谐振电容C3的电流值为零时,功率晶体管IGBT1的CE两极之间的电压达到极点。由于所述谐振电容C3的电流来自于所述感应线圈L2,而电感的电流方向不能突变,可得到电流换向点即为电流过零点,同时所述谐振电容C3两端的电压到达极点。
由上述可知,通过捕捉所述谐振电容C3与所述感应线圈L2的电流换向点可以获得所述功率晶体管IGBT1两端的电压的极点。因此,通过此电流信号来控制所述功率晶体管IGBT1在电压低极点导通,就可以达到功率器件软开关的目的,从而减少损耗,并且增加可靠性。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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