[实用新型]一种晶体硅太阳能电池有效
申请号: | 201320147449.1 | 申请日: | 2013-03-28 |
公开(公告)号: | CN203192804U | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 杨伟强;宋倩倩;李吉 | 申请(专利权)人: | 晶澳太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波 |
地址: | 055550 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳能电池 | ||
技术领域
本发明属于太阳能电池领域,具体涉及一种晶体硅太阳能电池。
背景技术
在晶硅太阳能硅片及电池制造行业,硅片通过制绒、扩散、边缘隔离、蒸镀减反膜、电极制作、烧结金属化等重点过程制作成电池,其中电极制作通常采用丝网印刷方法,制成的电池片如图1中所示,在电池片1的正面(即受光面)覆盖格栅状正栅,并配合若干条正电极3平行串联以便于电池之间用焊带互连,其中受光面上设有正电极3以及与所述正电极3相垂直设置的多条平行均匀分布的偶数条细栅2,其中正电极3也为多条,多条正电极3相平行且间距相同均匀设置,以与其相平行的电池片的中轴线为对称轴对称分布,且以与其相垂直的电池片的中轴线为对称轴对称分布,背电极5也为多条,多条背电极5相平行且间距相同均匀设置,以与其相平行的电池片的中轴线为对称轴对称分布,且以与其相垂直的电池片的中轴线相垂直对称分布,背电极5在电池背光面的位置可以与正电极3在电池片受光面的位置相同,也可以不同,最好相同,背电极5的形状和正电极3的形状和大小可以相同,也可以不同,最好相同,背光面采用覆盖整面的铝浆印刷形成背电场4并嵌入若干条与正电极平行的背电极5,背电极同样用于电池之间用焊带互连,每条正电极、背电极以及细栅各端部距离相邻铝背场边缘距离相同,这是太阳能电池的传统结构。
但目前,不同的应用环境对于电池和组件的功率、尺寸需求均不同,便携式、小型光伏发电系统对于组件更增加小尺寸、高电压、高功率等要求,所以对晶体硅太阳能电池的结构提出了新的挑战,对既能降低电池成本提高性能,又能兼顾正常组件和小型组件的需要的晶体硅太阳能电池的需求日益迫切。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种晶体硅太阳能电池,该晶体硅太阳能电池呈现1/2轴对称结构,可以将一片电池切割成2份具有相同性能、结构、性能和尺寸的电池,同时电池片上正电极、背电极以及细栅切割处(即断开处)间隙的设置可以给切割、划片留出空间,避免在机械或高温条件下金属对断面形成二次污染,同时还能降低电池表面的金属化面积,减少金属用量,增加电池的受光面积,既能降低电池成本提高性能,又能兼顾正常组件和小型组件需要的晶体硅太阳能电池。
本实用新型的上述目的是通过如下技术方案来实现的:一种晶体硅太阳能电池,包括电池片,设于电池片受光面上的正电极和与所述正电极相垂直设置的多条相平行的均匀分布的偶数条细栅,以及设于电池片背光面上的背电场和背电极,所述正电极由上正电极段和下正电极段组成,所述上正电极段和下正电极段之间留有间隙,且所述上正电极段与下正电极段以与其相垂直的电池片的中轴线为对称轴相对称分布,所述背电场上与背电极相垂直的电池片的中轴线位置处设有漏硅带,所述背电极在漏硅带处断开形成上背电极段和下背电极段,且所述上背电极段和下背电极段以漏硅带为对称轴相对称分布。
其中漏硅带是指硅片表面不覆盖其它膜层或金属的位置,即在漏硅带处保留带状的硅片基体在印刷金属浆料前的形貌,不经其它处理。
本实用新型所述间隙的间距优选与位于电池片中部的两相邻细栅之间的间距相同。
本实用新型位于电池片中部的相邻两细栅之间的间距优选为1.5~3mm。
本实用新型所述漏硅带的宽度优选为1~2mm。
本实用新型所述正电极为2n条,其中n为自然数,各条正电极相平行且均匀分布,以与正电极相平行的电池片的中轴线为对称轴相对称分布,同时以与正电极相垂直的电池片的中轴线为对称轴相对称分布。
本实用新型所述正电极的宽度优选为0.5~2mm。
本实用新型所述背电极与正电极的数量和形状相同,且设置在电池片的背光面上与正电极相对应位置处。
本实用新型所述背电极的宽度优选为0.5~3mm。
本实用新型所述背电极端部距离相邻背电场边缘的距离优选为0~10mm。
本实用新型所述细栅的宽度优选为30~80μm,细栅的条数优选为60~120条。
本实用新型每条背电极两端距离相邻铝背场边缘距离相同,使晶体硅片的上下两部分相对称,包括正电极、背电极和细栅,以垂直于正电极或者背电极的晶体硅片的中心轴线为对称轴相对称分布。
本实用新型中的晶体硅片可以为单、多晶硅片的任意一种。
本实用新型具有如下优点:采用本实用新型中的技术方案,可以降低晶体硅片正面的金属化面积,减少电池单片银消耗,兼顾正常组件和1/2电池组件的生产需要,提高1/2组件的各项性能,减少电池产品类型;且本实用新型中的晶体硅太阳电池推广性强,操作简单。
附图说明
图1是电池常规晶体硅电池的受光面;
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