[实用新型]发光装置以及照明装置

说明书

本申请案基于并主张2013年2月20日提出的日本专利申请案第2013-31191号的优先权，该申请案的全文被引用到本申请案中。

技术领域

本实用新型的实施方式涉及一种发光装置以及照明装置。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)例如被用于液晶显示器(display)、移动电话及信息终端的背光灯(backlight)或室内外公告等。发光二极管的用途正朝向多方面飞跃发展。而且，通过发光二极管的长寿命化、低功耗化、耐冲击性的提高、高速响应性的提高、高纯度显示色及轻薄短小化的实现等，发光二极管不仅在产业领域，而且也作为普通照明用而备受瞩目。对于使用发光二极管的发光装置以及照明装置，期望显色性的提高、或者可进行配光控制且适合于高输出的性能。

实用新型内容

根据实施方式，提供一种发光装置，包括基板；多个发光部，在所述基板上彼此隔开地配置，且所述多个发光部各自具有放射光的多个发光元件及混色单元，所述混色单元密封所述多个发光元件，并对从所述多个发光元件放射的光进行合成；以及配光控制构件，具有与所述多个发光部各自对应地设置的多个透镜，以从所述多个发光部放射的各光分别入射至所述多个透镜的方式而设，且对所述发光部的配光进行控制。

所述的发光装置，其中，所述发光元件是包含半导体材料的半导体发光元件。

所述的发光装置，其中，所述多个发光元件包含：第1发光元件，放射第1波长区域的光；以及第2发光元件，放射与所述第1波长区域不同的第2波长区域的光，所述第1发光元件与所述第2发光元件是由相同的所述混色单元予以密封。

所述的发光装置，其中，所述第1发光元件放射波峰波长为430纳米以上且490纳米以下的蓝色光，所述第2发光元件放射波峰波长为600纳米以上且670纳米以下的红色光。

所述的发光装置，其中，所述混色单元含有荧光体及散射材，所述荧光体受到所述第1发光元件的放射光激发，而放射与所述第1波长区域不同的第3波长区域的光，所述发光部放射将所述第1发光元件的放射光、所述第2发光元件的放射光及所述荧光体的放射光合成的光。

所述的发光装置，其中，所述荧光体是黄色荧光体，所述黄色荧光体受到所述第1发光元件的放射光激发，而放射波长长于490纳米的光。

所述的发光装置，其中，所述混色单元内部的所述多个发光元件的配置，在所述多个发光部分别相同。

所述的发光装置，其中，所述基板上的所述多个发光部的集合体的纵横比率为10∶1以上且1∶1以下。

所述的发光装置，其中，所述多个发光部是在所述基板上呈同心圆状或近似同心圆状地配置。

所述的发光装置，其中，所述多个发光部在所述基板上呈直线状地配置。

根据实施方式，提供一种照明装置，包括所述的发光装置。

根据本实用新型，能够期待一种可提高显色性、或者具有可进行配光控制且适合于高输出的性能的发光装置以及照明装置。

附图说明

图1(a)以及图1(b)是表示本实用新型的实施方式的发光装置的示意图。

图2是表示本实施方式的综合发光部的光的其他纵横比(aspect ratio)的示意平面图。

图3(a)～图3(c)是例示本实施方式的第1发光元件及第2发光元件的配置形态的示意平面图。

图4(a)～图4(c)是例示本实施方式的配光控制构件的具体例的示意图。

图5(a)以及图5(b)是例示本实施方式的配光控制构件的其他具体例的示意图。

图6(a)以及图6(b)是例示本实施方式的配光控制构件的又一具体例的示意图。

图7是表示本实用新型的其他实施方式的发光装置的示意剖面图。

图8是表示本实用新型的实施方式的照明装置的示意立体图。

图9是表示本实施方式的照明本体的示意分解图。

附图标记：

10：照明装置

12：照明本体

12a：照射窗

14：支撑部

20：散热体

20a：安装面

41：第1框体

42：第2框体

100、100a、100b：发光装置

105：综合发光部

110：基板

110a：基板的表面

120、120a、120b、120c：发光部

121：第1发光元件

122：第2发光元件

125：混色单元

140：保持构件