[实用新型]阵列基板、显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示装置技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示装置。

背景技术

近年来，随着科技水平的不断进步和提高，显示技术得到了快速的发展。基于其高品质的图像显示、自发光、响应速度快、宽视角等优势特点，OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管显示器)在显示领域中占据了广阔的市场，越来越多的OLED显示装置为人们所熟知并在日常生活领域中得到了广泛的应用。

然而发明人发现现有技术阵列基板至少存在如下问题：现有技术中OLED驱动电路中的储存电容是由不透明的金属电极与像素电极形成的，因此，不透明的金属电极直接影响了开口率的大小，进而增加了显示装置发光所需要的电流强度，缩短了显示装置的使用寿命。

发明内容

本实用新型的实施例提供一种阵列基板、显示装置，通过透明氧化物有源层第二区域形成储存电容的第一电极板，增加阵列基板的开口率。

为解决上述技术问题，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

本申请的一方面，提供一种阵列基板，包括：氧化物有源层、像素电极，所述氧化物有源层包括氧化物有源层第一区域以及氧化物有源层第二区域的图案，所述像素电极与所述氧化物有源层第二区域相对应的部分形成储存电容，所述氧化物有源层第二区域构成储存电容的第一电极板，所述与氧化物有源层第二区域相对应的像素电极构成储存电容的第二电极板，所述第一电极板与第二电极板之间的膜层构成储存电容的介电质。

优选的，所述第一电极板是由对氧化物有源层第二区域进行氢等离子体工艺处理形成的，所述第一电极板的电阻率小于5×10^-3Ω·cm。

进一步的，所述阵列基板还包括刻蚀阻挡层和/或钝化层，所述第一电极板与第二电极板之间的膜层包括钝化层和/或刻蚀阻挡层。

进一步的，氧化物有源层的材质为氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟锡或者氧化铟镓锡。

进一步的，所述刻蚀阻挡层以及所述钝化层分别为硅的氧化物、硅的氮化物、铪的氧化物、硅的氮氧化物或者铝的氧化物中的任意一种或多种形成的透明单层或复合层结构。

本申请的另一方面，提供一种显示装置，包括上述阵列基板。

本申请的再一方面，提供一种阵列基板的制作方法，包括形成氧化物有源层、像素电极图案，沉积氧化物薄膜后，通过构图工艺形成包括氧化物有源层第一区域以及氧化物有源层第二区域的图案，所述像素电极与所述氧化物有源层第二区域相对应的部分形成储存电容，所述氧化物有源层第二区域构成储存电容的第一电极板，所述与氧化物有源层第二区域相对应的像素电极构成储存电容的第二电极板，所述第一电极板与第二电极板之间的膜层构成储存电容的介电质。

优选的，通过对氧化物有源层第二区域进行氢等离子体工艺处理形成包括第一电极板的图案，所述第一电极板的电阻率小于5×10^-3Ω·cm。

优选的，所述氢等离子体处理工艺的处理时间为150S，处理功率为800～2000W，氢等离子流量为80SCCM。

进一步的，所述阵列基板还包括刻蚀阻挡层和/或钝化层，所述第一电极板与第二电极板之间的膜层包括钝化层和/或刻蚀阻挡层。

本实用新型申请提供的阵列基板、显示装置，利用透明氧化物材料形成储存电容的第一电极板，使得形成的储存电容结构具有透光性，从而增加阵列基板的开口率，降低显示装置发光所需的电流强度，延长了显示装置的使用寿命。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为AMOLED阵列基板的驱动电路图；

图2为本实用新型实施例阵列基板的布局示意图；

图3为图2所述阵列基板A-A向的层间剖面示意图；

图4为本实用新型实施例层间剖面示意图之二；

图5为本实用新型实施例阵列基板制作方法的流程示意图；

图6为本实用新型实施例阵列基板制作方法的流程示意图；

图7为本实用新型实施例涂覆光刻胶处理氧化物有源层第二区域的示意图。

附图标记说明:

1—基板；

2—栅极；

3—栅绝缘层；

401—氧化物有源层第一区域；

402—氧化物有源层第二区域；

5—刻蚀阻挡层；

6—源极；