[实用新型]固定电话机非接触式扩音装置有效

专利信息
申请号: 201320155282.3 申请日: 2013-04-01
公开(公告)号: CN203135989U 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 刘昭利 申请(专利权)人: 刘昭利
主分类号: H04M1/60 分类号: H04M1/60
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 233000 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 固定 电话机 接触 扩音 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于电磁信号放大技术领域,涉及一种固定电话机非接触式扩音装置。

背景技术

一般固定电话机在通话期间只能一人接听,有时需要多人同时接听通话内容时,一般固定电话机的功能就无法实现。为了解决经常遇到这个实际问题,本实用新型所述的固定电话机非接触式扩音装置利用电磁感应原理,在不改变原有固定电话机的结构和电路的情况下,它利用分立元件电路就能将微弱的固定电话机通话声音,清晰、宏亮的加以放大。使用固定电话机非接触式扩音装置对提高长途电话,农村电话的通话音量有明显效果,它适用于各种电话会议,便于电话记录,方便多人讨论通话内容。

固定电话机非接触式扩音装置的电路全部使用普通元器件制作,制作成本仅需十几元,也适合用于工厂批量开发有新功能的固定电话机。

以下详细说明本实用新型所述的固定电话机非接触式扩音装置在实施过程中所涉及的有关技术内容。

实用新型内容

发明目的及有益效果:一般固定电话机在通话期间只能一人接听,有时需要多人同时接听通话内容时,一般固定电话机的功能就无法实现。为了解决经常遇到这个实际问题,本实用新型所述的固定电话机非接触式扩音装置利用电磁感应原理,在不改变原有固定电话机的结构和电路的情况下,它利用分立元件电路就能将微弱的固定电话机通话声音,清晰、宏亮的加以放大。使用固定电话机非接触式扩音装置对提高长途电话,农村电话的通话音量有明显效果,它适用于各种电话会议,便于电话记录,方便多人讨论通话内容。

电路工作原理:固定电话机非接触式扩音装置用一个电磁感应敏感元件与场效应晶体管BG1组成电磁感应拾取固定电话机通话信号及一级放大电路。场效应管BG1通过串接的固定电阻R1、电位器RP1 和电磁信号拾音头L1组成电磁感应信号拾取及放大电路。在电磁信号拾音头L1感应到电磁信号时,经场效应管BG1组成一级放大电路放大后,在场效应管BG1的漏极D负载电阻R2上被放大的音频信号经过耦合电容C1送到NPN型晶体管BG2建立共发射极电路进行第二级放大。NPN型晶体管BG2集电极上音频信号的幅度取决于电磁信号的强度;若用示波器进行测试,可在NPN型晶体管BG2集电极上得到波形为100mV以上的音频电压。电容C2是隔直流耦合电容,它将经过NPN型晶体管BG2放大后的信号送到PNP型晶体管BG3进行第三级放大,最后驱动扬声器YS还原成声音。

技术特征:固定电话机非接触式扩音装置,它包括9V直流电源、电磁感应信号拾取及放大电路、二级阻容放大电路、三级阻容放大电路,其特征在于:

电磁感应信号拾取及放大电路:它由电磁信号拾音头L1、场效应管BG1、电阻R1、电位器RP1和负载电阻R2组成,电磁信号拾音头L1的两端分别接场效应管BG1的栅极G和电位器RP1的活动端,电位器RP1的一端通过电阻R1接电路正极VCC,电位器RP1的另一端接电路地GND,场效应管BG1的漏极D接负载电阻R2的一端,负载电阻R2的另一端接电路正极VCC,场效应管BG1的源极S接电路地GND;

二级阻容放大电路:它由耦合电容C1、NPN型晶体管BG2、负反馈电阻R3和负载电阻R4组成,NPN型晶体管BG2的基极与耦合电容C1的一端、负反馈电阻R3的一端相连,NPN型晶体管BG2的集电极接负反馈电阻R3的另一端和负载电阻R4的一端,负载电阻R4的另一端接电路正极VCC,NPN型晶体管BG2的发射极接电路地GND;

三级阻容放大电路:它由耦合电容C2、PNP型晶体管BG3、电阻R5、电位器RP2、电阻R6和扬声器YS组成,耦合电容C2的一端接NPN型晶体管BG2的集电极,PNP型晶体管BG3的基极与耦合电容C2的另一端及电位器RP2的活动端相连,电位器RP2的一端通过电阻R5接电路正极VCC,电位器RP2的另一端通过电阻R6接电路地GND,PNP型晶体管BG3的发射极接电路正极VCC,PNP型晶体管BG3的集电极接扬声器YS的一端,扬声器YS的另一端接电路地GND;

9V直流电源正极接电路正极VCC,9V直流电源负极与电路地GND相连。

附图说明

附图1是本实用新型提供的固定电话机非接触式扩音装置一个实施例电路工作原理图。

具体实施方式

按照附图1所示的固定电话机非接触式扩音装置电路工作原理图和附图说明,并按照实用新型内容所述的各部分电路中元器件之间连接关系,以及实施方式中所述的元器件技术参数要求和电路制作要点进行实施即可实现本实用新型,以下结合实施例对本实用新型的相关技术作进一步的描述。

元器件名称及主要技术参数

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