[实用新型]透明导电体有效
申请号: | 201320156551.8 | 申请日: | 2013-03-30 |
公开(公告)号: | CN203179574U | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 唐根初;董绳财;刘伟;唐彬 | 申请(专利权)人: | 深圳欧菲光科技股份有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B1/02;G06F3/044;G06F3/041 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 邓云鹏 |
地址: | 518106 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 导电 | ||
技术领域
本实用新型涉及触控技术领域,特别是涉及一种透明导电体。
背景技术
触摸屏是可接收触摸灯输入信号的感应式装置。触摸屏赋予了信息交互崭新的面貌,是极富吸引力的全新信息交互设备。触摸屏技术的发展引起了国内外信息传媒界的普遍关注,已成为光电行业异军突起的朝阳高新技术产业。
目前,氧化铟锡(ITO)层是触摸屏中至关重要的透明导电体。虽然触摸屏的制造技术一日千里的飞速发展着。但是以投射式电容屏为例,ITO层的基础制造流程近年来并未发生太大的改变。总是不可避免的需要ITO镀膜及ITO图形化。传统的ITO层的制备一般是采用单片式触控技术(OGS)在玻璃上镀ITO,经蚀刻后得到所需X、Y方向的感应线路,最后采用钼铝钼(MoAlMo)或者ITO进行搭桥。这种传统的制作流程复杂且冗长,因此良率控制就成了现阶段触摸屏制造领域难以回避的难题,并且这种制作方式还不可避免的需要用到刻蚀工艺,大量的ITO材料会被浪费,制备成本较高,从而导致触摸屏的价格较高。
目前,有研究采用金属网格线替换ITO。金属网格线的价格虽然较低,但金属网格线不透光,使得触摸屏整体的光性能不佳,难以满足应用需求。
实用新型内容
基于此,有必要提供一种价格较低、透光率较高的透明导电体。
一种透明导电体,包括
透明基板;
第一介质层,层叠于所述透明基板上;
第一导电层,嵌设于所述第一介质层中;
第二介质层,层叠于所述第一介质层上;
第二导电层,嵌设于所述第二介质层中;
其中,所述第一导电层与第二导电层相互绝缘,所述第一导电层及第二导电层均由金属网格形成,所述第一导电层及第二导电层中,金属网格的线宽为0.2微米~5微米,相邻两条金属网格线之间的距离为50微米~500微米。
在其中一个实施例中,所述第一导电层和第二导电层的金属网格重叠。
在其中一个实施例中,所述金属网格由多个网格单元构成,所述网格单元为正方形、菱形、正六边形、长方形或随机网格形状。
在其中一个实施例中,所述第一导电层的金属网格的线宽与所述第二导电层的金属网格的线宽不等,且所述第一导电层的金属网格线的中心线与所述第二导电层的金属网格线的中心线重合。
在其中一个实施例中,所述第一导电层的金属网格的线宽与所述第二导电层的金属网格的线宽不等,所述第二导电层的相邻两条金属网格线的距离为所述第一导电层的相邻两条金属网格线的距离的整数倍。
在其中一个实施例中,所述第二导电层的沿第一轴向的相邻两条金属网格线的距离为所述第一导电层的沿第一轴向的相邻两条金属网格线的距离的整数倍。
在其中一个实施例中,所述第二导电层的沿第二轴向的相邻两条金属网格线的距离为所述第一导电层的沿第二轴向的相邻两条金属网格线的距离的整数倍。
在其中一个实施例中,所述第二导电层的沿第一轴向的相邻两条金属网格线的距离为所述第一导电层的沿第一轴向的相邻两条金属网格线的距离的整数倍,所述第二导电层的沿第二轴向的相邻两条金属网格线的距离为所述第一导电层的沿第二轴向的相邻两条金属网格线的距离的整数倍。
在其中一个实施例中,所述第一介质层和第二介质层的厚度为1微米~10微米,所述第一介质层远离所述透明基板的一侧开设有第一网格凹槽,所述第二介质层远离所述第一介质层的一侧开设有第二网格凹槽,所述第一导电层及第二导电层分别收容于所述第一网格凹槽及第二网格凹槽中,且所述第一导电层的厚度不大于所述第一网格凹槽的深度,所述第二导电层的厚度不大于所述第二网格凹槽的深度。
在其中一个实施例中,所述透明基板的厚度为0.3毫米~1.2毫米。
上述透明导电体包括由金属网格形成的第一导电层及第二导电层,金属替代了价格较为昂贵的铟锡氧化物,并且第一导电层及第二导电层之间能够形成感应电容,制备过程中无需进行刻蚀和搭桥,能够节约原料和简化制备过程,使得该透明导电体的价格较低;第一导电层及第二导电层的金属网格的线宽为0.2微米~5微米,相邻两条金属网格线之间的距离为50微米~500微米,能够获得较大的可视区面积,使得透明导电体的透光率较高。
附图说明
图1为一实施方式的透明导电体的结构示意图;
图2为图1所示的透明导电体的分解示意图;
图3~图6分别为不同实施方式的透明导电体的第一导电层及第二导电层的金属网格的形状示意图;
图7为图4的局部放大图;
图8~图9分别为两种实施方式中的第一导电层与第二导电层的结构示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳欧菲光科技股份有限公司,未经深圳欧菲光科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320156551.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种节能玻璃纤维芯中强度铝合金绞线绝缘电缆
- 下一篇:透明导电膜