[实用新型]一种用于提升开路电压的背电极背电场结构有效
申请号: | 201320157873.4 | 申请日: | 2013-04-02 |
公开(公告)号: | CN203277396U | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 赵桂梅 | 申请(专利权)人: | 浙江鸿禧光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 314206 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 提升 开路 电压 电极 电场 结构 | ||
1.一种用于提升开路电压的背电极背电场结构,包括背电极结构和与其相匹配的背电场结构,其特征在于:在背电极结构中设计若干排相间排列的小孔结构,并将这些小孔作为背电场区域。
2.根据权利要求1所述的一种用于提升开路电压的背电极背电场结构,其特征在于:所述的背电极结构是由两根或三根电极组成,每根电极为整条或若干分段电极组成,每根电极上设计有序排列的方形或圆形小孔,相邻两排小孔相间排列。
3.根据权利要求2所述的背电场结构,其特征在于:每排小孔的数量为n个和n-1个,小孔的数量n大于等于3小于等于2。
4.根据权利要求1所述的背电场结构,其特征在于:背电场中小孔的尺寸22′′、上下两端小孔到边缘的距离11′、具有n-1个的这排孔的边缘小孔到左右两端的距离55′,与背电极的设计尺寸11、22、55相比均大0.1~0.2mm,涂有感光胶区域的宽度A′略大于背电极的宽度A。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的