[实用新型]新型耦合变压器有效
申请号: | 201320160254.0 | 申请日: | 2013-04-02 |
公开(公告)号: | CN203179668U | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 张观福;张晓东;田聪;王艳红 | 申请(专利权)人: | 东莞铭普光磁股份有限公司 |
主分类号: | H01F27/26 | 分类号: | H01F27/26;H01F27/32;H01F27/29 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 谭一兵;蔡晓军 |
地址: | 523330 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 新型 耦合 变压器 | ||
技术领域
本实用新型涉及耦合变压器技术领域,特别是涉及一种用于PLC应用信号高效率、低损耗的新型耦合变压器。
背景技术
变压器的最基本形式,包括绕有导线的初次级线圈,并且彼此以电感方式耦合,耦合过程中损耗大小取决于初次级线圈耦合的程度。高压隔离强度是初级线圈与次级线圈之间承受高电压能力的大小。为了满足高压隔离要求,变压器初级与次级线圈之间必须有一定高压隔离强度。
传统的耦合变压器初次级线圈一般采用普通漆包线,高压隔离强度低,由于保护层厚度不足而被击穿,导致初次级线圈短路使变压器烧坏。此外,磁芯多采用单孔环形磁芯,线圈间耦合差、信号损耗大,终端使用隐患大,产品失效率高。
实用新型内容
基于此,有必要针对现有技术的缺点的问题,提供一种新型耦合变压器,其结构简单、设计合理,加强线圈间信号耦合,减小信号损耗,降低终端使用隐患,提高信号传输效率。
一种新型耦合变压器,包括底座、设于所述底座上的磁芯及缠绕在所述磁芯上的绝缘线;所述底座上开设有定位槽,所述磁芯位于所述定位槽中,所述磁芯为双孔结构;所述绝缘线包括导体及包覆于所述导体上的绝缘层,所述绝缘层共三层,由内向外依次为第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。
在其中一个实施例中,所述底座呈方形,所述底座的其中一角具有一缺口,所述底座上设有两组PIN脚,其中靠近所述缺口的一组PIN脚为初级PIN脚,另一组为次级PIN脚。
在其中一个实施例中, 所述底座的侧部开设有导线槽。
在其中一个实施例中,所述磁芯与底座经环氧胶粘合。
上述新型耦合变压器,结构设计合理,所述底座上设有定位槽,便于磁芯定位。所述绝缘线设有三层绝缘层,增加高压隔离强度;采用一体双孔形磁芯,加强线圈绕组间信号耦合,减小信号损耗,降低终端使用隐患,提高信号传输效率,降低了产品失效率。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构示意图。
图2为本实用新型的底座结构示意图。
图3为本实用新型的绝缘线结构剖视图。
以下是本实用新型零部件符号标记说明:
底座10、定位槽11、缺口12、导线槽13、初级PIN脚14、次级PIN脚15、磁芯20、绝缘线30、导体31、第一绝缘层32、第二绝缘层33、第三绝缘层34。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能,解析本实用新型的优点与精神,藉由以下结合附图与具体实施方式对本实用新型的详述得到进一步的了解。
一种新型耦合变压器,包括底座10、设于底座10上的磁芯20及缠绕在磁芯20上的绝缘线30。底座10上开设有定位槽11,磁芯20位于定位槽11中。生产时,磁芯20可很方便的装配在底座10顶部的定位槽11中。
该磁芯20为双孔结构,磁芯20与底座10经环氧胶粘合。此结构可加强初次级线圈绕组间的信号耦合,很好的减小信号传输损耗,使耦合变压器信号传输高效性。
该绝缘线30包括导体31及包覆于所述导体31上的绝缘层,所述绝缘层共三层,由内向外依次为第一绝缘层32、第二绝缘层33和第三绝缘层34。三层绝缘层很好的保护导体31不受损、不裸露,加大初次级线圈绕组的高压隔离强度,起到很好的保障作用,保证终端使用安全。
该底座10呈方形,底座10的其中一角具有一缺口12。底座10上设有两组PIN脚,其中靠近缺口12的一组PIN脚为初级PIN脚14,另一组为次级PIN脚15。底座10的侧部开设有导线槽13。绝缘线30绕在磁芯20上,分为初级引线和次级引线。初级引线经一侧部的导线槽13与初级PIN脚14相连通;次级引线经另一侧部的导线槽13与次级PIN脚15相连通。
综上所述,上述新型耦合变压器,结构设计合理,所述底座10上设有定位槽11,便于磁芯20定位。所述绝缘线30设有三层绝缘层,增加高压隔离强度;采用一体双孔形磁芯20,加强线圈绕组间信号耦合,减小信号损耗,降低终端使用隐患,提高信号传输效率,降低了产品失效率。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
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