[实用新型]一种蓝宝石C轴生长热场装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种晶体生长领域的热场装置，尤其涉及一种蓝宝石C轴生长热场装置。

背景技术

蓝宝石晶体A轴生长比较普及，但掏棒良率低，C轴生长掏棒良率高，但C轴难生长。若晶体生长界面与生产方向的法向面交角小时，由于严重的底面滑移，易产生大量的晶界；相反，生长界面与法向面交角增大时，晶界就不易形成。凸界面生长时，稳定性比较好，但凸界面生长也会导致小面与等温面生长共存的情况，晶体的轴心与边缘出现高位错密度区。热场内的钨加热体、钨钼材料所制的坩埚以及氧化铝熔体会发生化学反应，反应所产生的气体即为晶体中气泡内气体的主要来源。当晶体生长速率过快或生长速率波动过大时，反应生成的气体很容易被俘获，从固/液界面裹入到晶体中而保存下来。如果晶体的生长界面微凸向熔体时，所生成的气体就容易被熔体中的自然对流带走，从而在熔体中充分扩散并从熔体的自由液面排出；而如果生长界面为平界面或凹界面时，气体杂质则容易被俘获，从而裹入晶体，形成晶体中的气泡。现有技术中热场装置难以控制蓝宝石晶体C轴生长界面形状，晶体品质就难以保证。

实用新型内容

发明目的：本实用新型的目的是为了解决现有技术的不足，提供一种蓝宝石C轴生长热场装置，有利于固液界面成为凸面状生长，提高了得到大单晶的机率。

技术方案：为了实现以上目的，本实用新型所述的一种蓝宝石C轴生长热场装置，包括加热体、坩埚、中轴和反射隔热板，其特征在于：所述反射隔热板套在中轴上，反射隔热板由若干直径不同的隔热板组成，所述隔热板按从上到下直径递增叠置。

有益效果：本实用新型提供的蓝宝石C轴生长热场装置，减少了加热体对中轴的热辐射，加热体下部的热辐射被伞形反射隔热板反射到坩埚底部锥面，相对减少了坩埚底部锥面的热量耗散,同时也增强了中轴热量耗散作用。这种伞形反射隔热板使坩埚底部锥面的温度提高而使晶体四周生长缓慢但相对加快中心部分的生长，这有利于固液界面成为凸面状生长，提高了得到大单晶的机率。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本实用新型。

如图1所示，蓝宝石C轴生长热场装置主要包括加热体1、坩埚2、中轴3和反射隔热板4，坩埚2通常由钨钼材料制成，用于盛放氧化铝熔体，坩埚2设置在加热体1中间，由加热体1对坩埚2及其内盛放的氧化铝进行辐射加热。坩埚2设置有锥形底部，并由锥形底部的中央向下引出中轴3，反射隔热板4套设在中轴3上，反射隔热板由若干不同直径的隔热板4组成，隔热板4按从上到下直径递增叠置，因此反射隔热板形成向坩埚2底部凸起的锥面以反射加热体1的热辐射至坩埚2底部。

上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的是让熟悉该技术领域的技术人员能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此来限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作出的等同变换或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。