[实用新型]有机发光显示装置有效
申请号: | 201320165287.4 | 申请日: | 2013-04-03 |
公开(公告)号: | CN203367283U | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 崔俊呼;郑镇九;金星民 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示装置,其特征在于,包括:
多个像素,分别具有第一区域和第二区域,其中,所述第一区域包括至少一个用于发光的发光区域,所述第二区域包括至少一个用于使外光透射的透射区域;
第三区域,位于所述像素之间;
多个第一电极,分别设置在所述每一个像素的所述发光区域;
发光层,至少覆盖所述第一电极;
第一辅助层,位于所述第一区域和第三区域;
第二电极,形成在所述第一辅助层上,并且位于所述第一区域和第三区域;
第二辅助层,覆盖所述第二电极,并且位于所述第一区域和所述第二区域、而不位于所述第三区域;以及
第三电极,形成在所述第二电极上,并且位于所述第三区域。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
在所述第二区域没有所述第二电极。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
在所述第二区域没有所述第一辅助层。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述第二电极还位于所述第二区域,
在所述第二电极中位于所述第二区域的部分的厚度小于在所述第二电极中位于所述第一区域的部分的厚度。
5.根据权利要求3所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述第三电极还位于所述第二区域,
在所述第三电极中位于所述第二区域的部分的厚度小于在所述第三电极中位于所述第三区域的部分的厚度。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述第一辅助层还位于所述第二区域。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置,其特征在于,还包括:
第三辅助层,设置在所述第一辅助层和所述第二辅助层之间,并且位于所述第二区域。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置,其特征在于,
在所述第一区域和所述第三区域没有所述第三辅助层。
9.根据权利要求6所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述第二电极还位于所述第二区域,
在所述第二电极中位于所述第二区域的部分的厚度小于在所述第二电极中位于所述第一区域的部分的厚度。
10.根据权利要求6所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述第三电极还位于所述第二区域,
在所述第三电极中位于所述第二区域的部分的厚度小于在所述第三电极中位于所述第三区域的部分的厚度。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述第三电极的厚度大于所述第二电极的厚度。
12.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述第二电极与所述第一区域和第三区域的粘接力大于所述第二电极与所述第二区域的粘接力。
13.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述第三电极与所述第一区域和第二区域的粘接力小于所述第三电极与所述第三区域的粘接力。
14.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述第一辅助层包括:
Alq3、二-钨四(六氢嘧啶并嘧啶)、富勒烯、氟化锂、9,10-二(2-萘基)蒽或者8-羟基喹啉醇化-锂。
15.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述第二辅助层包括:
N,N’-二苯基-N,N’-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯基-4,4’-二胺、N-(二苯基-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑、4,4,4-三(3-甲苯基苯氨基)三苯胺、N,N'-双(1-萘基)-N,N'-二苯基[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺或者4,4'-双[N-(3-甲苯基)-N-苯氨基]联苯。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的