[实用新型]一种IGBT芯片有效
| 申请号： | 201320165620.1 | 申请日： | 2013-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN203367285U | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;覃荣震;黄建伟 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 412001*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种IGBT芯片，包括衬底、位于衬底正面之上的铜金属化结构，所述铜金属化结构包括栅极电极和发射极电极，其特征在于，还包括，位于所述栅极电极下方的衬底内的P+掺杂区。
2.根据权利要求1所述的IGBT芯片，其特征在于，所述P+掺杂区的面积大于所述栅极电极的面积。
3.根据权利要求2所述的IGBT芯片，其特征在于，所述P+掺杂区的区域边缘与所述栅极电极的同一侧的区域边缘在垂直于所述区域边缘方向上的距离为40～100μm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的IGBT芯片，其特征在于，还包括位于所述发射极电极下方衬底内部的P-基区，所述P-基区的边缘与所述P+掺杂区的边缘间距为30～150μm。
5.根据权利要求1-3任一项所述的IGBT芯片，其特征在于，所述栅极电极和所述发射极电极的间距为10～60μm。
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