[实用新型]集成电路芯片封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种集成电路芯片封装结构,尤其涉及晶圆级芯片尺寸封装结构。 

背景技术

图像传感器在消费类电子产品如智能手机、i-Pad平板电脑中已经成为标准配置，市场量巨大。消费类电子产品要求封装的芯片轻小短薄化和高性价比，用晶圆级封装技术封装图像传感芯片符合这一发展要求。然而，随着图像传感芯片向高像素（如800万像素）发展，用WLP（晶圆级封装）封装8英寸的CIS（图像传感器）晶圆在性价比上没有明显优势，封装12英寸的CIS晶圆成为选择。相对于8英寸CIS晶圆，12英寸（或更大尺寸）CIS晶圆一般采用铜制程取代铝制程，WLP工艺中更容易出现裂片和翘曲现象。一般对12英寸CIS的WLP流程如下：玻璃与CIS晶圆压合，晶圆背面减薄，光刻露出切割道，等离子体刻蚀暴露芯片焊垫（pad），光刻胶剥离，用绝缘物填充切割道，用激光或机械切割暴露焊垫，依次沉积Ti（或TiW其他黏附层）、Cu薄膜，电镀Cu，光刻形成线路，化学Ni和Au，光刻胶剥离，Cu和Ti（或TiW其他黏附层）刻蚀除去，光敏性阻焊油墨保护线路但暴露长锡球地方，印刷锡膏，回流焊锡球形成，打标和切割。 

目前WLP封装工艺流程中在在溅射Cu后由于溅射厚度薄而采取再次电镀的工艺这一环节中所产生以下几个缺点1：所覆Cu表面均匀性不好，产生应力容易翘曲和裂片；2：在刻蚀过程中侧向腐蚀时间增加。3：因为大面积电镀成本增加。 

发明内容

为克服现有WLP集成电路封装结构及封装工艺的上述不足，本实用新型提供一种集成电路芯片封装结构，可实现工艺的革新从而克服上述问题。 

本实用新型解决其技术问题的技术方案是：集成电路芯片封装结构，包括第一玻璃层，所述第一玻璃层的背面设有腔壁； 

还包括芯片，所述芯片的正面具有光学图像传感元件，围绕所述的光学图像传感元件设有若干焊垫，所述的焊垫与所述的腔壁对应并与所述的腔壁压合；

所述芯片的背面开设有与所述的焊垫相对应的开口，该芯片的背面还设有一层绝缘层且该绝缘层不覆盖所述开口处的焊垫，所述的焊垫设有切割道；

在所述绝缘层外溅射有沉积层，所述的沉积层与所述焊垫的具有切割道的面相接触，所述的沉积层经光刻后形成电路且在该沉积层还电镀有一层电镀铜层，所述的电镀铜层经过光刻后形成电路；

在所述的开口内填充有绝缘材料；

在所述的电镀铜层及绝缘材料外还设有一层光敏性阻焊油墨，所述的光敏性阻焊油墨上设有锡球开口，所述的锡球开口内焊有锡球。

进一步，所述的沉积层可为Ti与Cu复合沉积层或TiW与Cu复合沉积层。 

本实用新型的有益效果在于：通过采用本实用新型的结构，可以实现首先沉积一沉积层，然后进行光刻初步形成线路，再次电镀Cu，最后再光刻形成线路的工艺，可克服现有工艺中存在的问题。 

附图说明

图1是在成型本实用新型时第一步骤的示意图。 

图2是在成型本实用新型时第二步骤的示意图。 

图3是在成型本实用新型时第三步骤的示意图。 

图4是在成型本实用新型时第四步骤的示意图。 

图5是在成型本实用新型时第五步骤的示意图。 

图6是在成型本实用新型时第六步骤的示意图。 

图7是在成型本实用新型时第七步骤的示意图。 

图8是在成型本实用新型时第八步骤的示意图。 

图9是在成型本实用新型时第九步骤的示意图。 

图10是在成型本实用新型时第十步骤的示意图即本实用新型的成品图。 

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。 

参照图10，集成电路芯片封装结构，包括第一玻璃层1，所述第一玻璃层的背面设有腔壁10； 

还包括芯片2，所述芯片2的正面具有光学图像传感元件20，围绕所述的光学图像传感元件20设有若干焊垫21，所述的焊垫21与所述的腔壁10对应并与所述的腔壁10压合；

所述芯片2的背面开设有与所述的焊垫21相对应的开口22，该芯片的背面还设有一层绝缘层3且该绝缘层3不覆盖所述开口22处的焊垫，所述的焊垫21设有切割道；