[实用新型]一种带单向压力过载保护功能的硅差压传感器

权利要求书

1.一种带单向压力过载保护功能的硅差压传感器，有用于抽真空充灌充液及传递压力的高压腔路径和低压腔路径，其特征是：高压腔路径由高压基座(1)、高压侧隔离膜片(3)、高压侧灌充液(5)、过载保护膜片(7)、芯片管座(8)及硅压力敏感芯片(9)构成，高压侧灌充液(5)位于高压腔路径之中，低压腔路径由低压基座(2)、低压侧隔离膜片(4)、低压侧灌充液(6)、过载保护膜片(7)、传压焊接块(12)、芯片管座(8)及硅压力敏感芯片(9)构成，低压侧灌充液(6)位于低压腔路径之中，高低压侧的隔离膜片、高低压侧的灌充液、过载保护膜片及高低压基座的连动作用，实现了硅差压传感器的单向压力过载保护。 

2.根据权利要求1所述的带单向压力过载保护功能的硅差压传感器，其特征是：通过传压焊接块(12)的有关焊缝(16)与高压基座(1)、低压基座(2)及过载保护膜片(7)的整体焊接，实现了低压侧压力跨越过载保护膜片(7)左右两侧的传压，使低压侧压力能最终到达硅压力敏感芯片(9)的负压侧，跨越过载保护膜片(7)左右两侧的传压路径全焊接实现。 

3.根据权利要求1所述的带单向压力过载保护功能的硅差压传感器，其特征是：传压焊接块(12)是一块用于焊接的金属结构件，其在高压基座(1)、低压基座(2)及过载保护膜片(7)形成的焊缝之外与过载保护膜片(7)左右两侧的低压基座(2)、高压基座(1)焊接，焊接后实现了低压侧压力跨越过载保护膜片(7)左右两侧的传压。 

4.根据权利要求1所述的带单向压力过载保护功能的硅差压传感器，其特征是：传压焊接块(12)与高压基座(1)、低压基座(2)及过载保护膜片(7)焊接后，传压焊接块(12)将嵌入在高低压基座之中，或传压焊接块(12)位于高低压基座之外，或传压焊接块(12)将部分嵌入在高低压基座之中，其余部分位于高低压基座之外。 

5.根据权利要求1所述的带单向压力过载保护功能的硅差压传感器，其特征是：过载保护膜片(7)的边缘一(17)和边缘二(18)用于与高压基座(1)、低压基座(2)及传压焊接块(12)的焊接，边缘二(18)是直线或曲线。 

6.根据权利要求1所述的带单向压力过载保护功能的硅差压传感器，其特征是：过载保护膜片(7)的边缘三(19)用于与高压基座(1)、低压基座(2)及传压焊接块(12)的焊接，边缘三(19)是圆。 

7.根据权利要求1所述的带单向压力过载保护功能的硅差压传感器，其特征是：芯片管座(8)中与硅压力敏感芯片(9)的低压侧连接的中心管与芯片管座的低压侧导油孔(13)相通，低压侧导油孔(13)的孔口位于芯片管座的圆柱侧面，用于传感器低压侧压力的传递。 

8.根据权利要求1所述的带单向压力过载保护功能的硅差压传感器，其特征是：芯片管座(8)下沉放置于高压基座(1)之中，用于抽真空充灌充液及传递压力的高压腔路径和低压腔路径的实现。 

9.根据权利要求1所述的带单向压力过载保护功能的硅差压传感器，其特征是：差压传感器中的芯片管座(8)可同时具有高压侧灌充液充灌导油管(10)和低压侧灌充液充灌导油管(11)，由芯片管座即可实现高压腔和低压腔的抽真空充灌。 

10.根据权利要求1所述的带单向压力过载保护功能的硅差压传感器，其特征是：差压传感器中的高压腔和低压腔的抽真空充灌可通过高压侧灌充液充灌导油孔(14)和低压侧灌充液充灌导油孔(15)进行。