[实用新型]具有独立信息储存空间的储存装置

说明书

技术领域

本实用新型是关于一种储存装置，尤指一种由独立的非易失性存储器构成信息储存空间的储存装置。 

背景技术

由于NAND闪存可提供极高的单元密度，故可达到高储存密度，且其抹写速度快，因此非常适合用来作为大容量的储存装置。而为进一步提高储存密度，满足大容量储存空间的需求，许多工艺技术相继地问世，例如SLC、MLC、TLC等，其中MLC、TLC在每一个储存单元(cell)分别可储存两个、三个数据，其储存密度相较于一个储存单元只储存一个数据的SLC自然高出许多。然而尽管MLC、TLC的储存密度远高于SLC，在耐受度(Endurance)上则相形见绌，采用SLC的NAND闪存其抹写(P/E)次数为10,000次以上，但采用MLC的NAND闪存其抹写次数只有3,000次，采用TLC的NAND闪存其抹写次数更只有300次。此外，当NAND闪存的抹写次数增加时，或是本身处于极高/极低温度的状态下，都会增加Error bit的数量，而缩短数据保存期间。另根据数据显示，当抹写次数到达3,000次时，其Error bit平均会由4个增加到20个，数据保存期间则从5年缩短到约不到1年的时间。 

再者，NAND闪存的数据保存期间除受前述因素影响外，也会随着工艺变小而缩短，例如以2X(纳米)工艺制造的NAND闪存其数据保存期间大约只有5X(纳米)工艺制造NAND闪存的一半。 

由上述可知，尽管NAND闪存具有高储存密度的优势，适合用于大容量储存装置，但工艺技术、尺寸都影响了其耐受度，使得储存装置的稳定性大受考验，请参阅图2所示，是现有储存装置的结构示意图，主要是由一控制 器80分别和一通信接口端口81、一个以上的NAND闪存82连接。各个NAND闪存82除分别以大部分的空间作为一数据储存区821外，亦提供小部分空间作为一信息储存区822，用来储存程序码等重要信息。与数据储存区821不同的是：信息储存区822储存的是不能变动的重要信息。因而若在信息储存区822内出现Error bit，则其储存的重要信息将被破坏，而无法正常使用。 

但如前揭所述，既有储存装置为满足高密度大容量的需求，可能选用储存密度高的NAND闪存，而这类NAND闪存的抹写次数原本较少，且当抹写次数到达一定数量时，Error bit的数量也会明显增加，而影响数据保存期间，在此状况下自然直接冲击信息储存区822内的信息完整性。为确保储存装置的系统稳定，对于重要信息的处理，显有进一步检讨并谋求可行解决方案的必要。 

实用新型内容

因此本实用新型主要目的在提供一种具有独立信息储存空间的储存装置，其可使储存装置中的重要信息不受高储存密度非易失性存储器的耐受度所影响，有效确保系统的稳定性。 

为达成前述目的采取的主要技术手段是令前述具有独立信息储存空间的储存装置包括：一个以上具有高储存密度的第一型非易失性存储器，用以构成一数据储存区，供储存数据；一第二型非易失性存储器，用以构成一信息储存区，供储存数据以外的信息；该第二型非易失性存储器是由第一型非易失性存储器以外的非易失性存储器所构成，且第二型非易失性存储器的耐受度高于第一型非易失性存储器；一控制器，是通过一并列接口与前述第一型非易失性存储器连接，又通过一串列接口与前述第二型非易失性存储器连接；一通信接口端口，是与前述控制器连接。 

进一步的，所述第一型非易失性存储器是NAND型闪存，所述第二型非易失性存储器是NOR型闪存。 

进一步的，所述并列接口是ONFi或Toggle。 

进一步的，所述串列接口是SPI。 

进一步的，所述耐受度是指抹写次数。 

进一步的，所述耐受度是指温度耐受性。 

进一步的，所述通信接口端口是eMMC、USB或SATA。 

进一步的，所述第二型非易失性存储器用以储存系统信息。 

由上述可知，本实用新型的储存装置采用高储存密度的第一型非易失性存储器满足高容量储存空间需求，又采用高耐受度(高抹除次数、高温度耐受性)的第二型非易失性存储器储存重要信息；由于第一型非易失性存储器是作为数据储存区，而存在重复抹写的可能，为避免因第一型非易失性存储器抹写次数增加而造成破坏重要信息，本实用新型采用高耐受度的第二型非易失性存储器作为信息储存区以储存重要信息，由于无须经常抹写，加上耐受度高，可确保储存装置的重要信息不因抹写次数增加而损坏，进而确保系统的稳定性。 

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本实用新型的限定。在附图中：