[实用新型]一种纳米氧化镓的生产装置有效
申请号: | 201320176564.1 | 申请日: | 2013-04-10 |
公开(公告)号: | CN203173842U | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 赵科湘;罗林中 | 申请(专利权)人: | 株洲科能光电材料科技发展有限责任公司 |
主分类号: | C01G15/00 | 分类号: | C01G15/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 株洲市奇美专利商标事务所 43105 | 代理人: | 刘国鼎 |
地址: | 412000 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 氧化 生产 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种氧化镓的生产装置,尤其涉及一种纳米氧化镓的生产装置。
背景技术
氧化镓,别名三氧化二镓(Ga2O3),是一种宽禁带半导体,Eg=4.9eV,其导电性能和发光特性长期以来一直引人注意。氧化镓具有多种结构 ,其中在室温下具有单斜结构的β - Ga2O3 最稳定 ,β - Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料,在光电子器件方面有广阔的应用前景 ,被用作Ga基半导体材料的绝缘层以及紫外线滤光片,它还可以用作O2化学探测。
随着对Ga2O3研究热潮的兴起,目前很多研究已经集中于具有纳米结构的Ga2O3材料,由于量子限制效应等小尺寸效应往往会对纳米材料的输送和光学性能产生重要影响,因此,对Ga2O3低维纳米结构的研究具有重要的意义。如何设计出结构合理的装置使生产的Ga2O3更符合纳米结构的要求,则是本实用新型要研究的课题。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种生产纳米氧化镓的装置,以解决生产出符合纳米结构要求的合格产品问题。
为实现上述目的,本实用新型的技术解决方案是:一种纳米氧化镓的生产装置,包括反应釜,其特征在于:所述的反应釜4的上端通过喷头5、高压泵8、进料管7与进料罐6连通,通过风管10与空气压缩泵9连通,下端通过连接管1与旋风分离器11连通,该连接管上,设有控制阀2,反应釜4内,还设有电阻丝3,热电偶13与反应釜4连通
本实用新型的有益效果是:本实用新型含精确测温系统,通过热电偶输出温度信号,实时控制电阻丝加热和物料的加入;物料从喷头中喷出,使得接触面积(比表面)更大,压缩空气源源不断从风管中进入,使得反应更加彻底。其中,精确升温系统采用电子控制电磁感应加热,加热速度快。
本实用新型具有生产速度快,能耗低,设备加工简单等优点,适用大规模生产需要。由于采用专用装置,无其它物质加入,生产过程中不影响纯度,且生产过程中无污染,无废物排放,达到了环保要求。
附图说明
附1是本实用新型的结构示意图
图中:1—连接管;2—控制阀;3—电阻丝;4—反应釜;5—喷头;6—进料罐;7—进料管;8—高压泵;9—压缩空气泵;10—风管;11—旋风分离装置;12—出料口;13—热电偶。
具体实施方式
下面结合附图详细描述本实用新型的具体实施方式。
参见图1,本实用新型包括反应釜,其特征在于:所述的反应釜4的上端通过喷头5、高压泵8、进料管7与进料罐6连通,通过风管10与空气压缩泵9连通,下端通过连接管1与旋风分离器11连通,该连接管上,设有控制阀2,反应釜4内,还设有电阻丝3,热电偶13与反应釜4连通。
本实用新型的具体工艺过程为:第一步,将原料镓从瓶中倒入进料罐6中,全部加入完毕后,开启加热将镓熔化;第二步,打开空气泵压缩9,空气从风管10进入反应釜4内,第三步,打开电阻丝3,开启加热,通过热电偶13监控反应釜4内实时温度;第四步,温度到达后,打开高压泵8,原料镓从进料管7中进入喷头5喷洒落入反应釜4内,反应开始;第五步,待反应完全后,关闭高压泵8,停止加热,打开反应釜4下方的控制阀2,物料通过连接管1进入旋风分离装置11内;第六步,打开出料口12,收集得到产品氧化镓。
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