[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层和源/漏电极，以及位于所述栅电极和有源层之间的栅绝缘层，其中：

所述栅电极包括栅电极金属层和第一组保护层，所述第一组保护层位于栅电极金属层和栅绝缘层之间，将所述有源层和所述栅电极金属层隔离；

所述栅电极金属层的材质为铜或铜合金。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅电极还包括第二组保护层，位于栅电极金属层背离第一组保护层的一侧；

所述第二组保护层包括第一栅保护层和第二栅保护层，所述第二栅保护层位于第一栅保护层和栅电极金属层之间。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅保护层的材质为氮化硅或氮化钛；和/或

所述第二栅保护层的材质为钼钛合金、钼钨合金、钼锆合金、钼铌合金、钼铜合金、钼钒合金、钼钽合金、钼镍合金、钼铬合金、钼铪合金、钼铑合金、钼钴合金、钼钯合金、钼铂合金、钼铝合金、钼锰合金、硅化钛、硅化钨、硅化锆、硅化铌、硅化铜、硅化钒、硅化钽、硅化镍、硅化铬、硅化铪、硅化铑、硅化钴、硅化钯、硅化铂、硅化铝或硅化锰。

4.如权利要求1、2或3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一组保护层包括第三栅保护层和第四栅保护层，所述第三栅保护层位于栅电极金属层和第四栅保护层之间。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第三栅保护层的材质为钼铝铌合金、钼钨合金、钼锆合金、钼钒合金、钼钽合金、钼镍合金、钼铬合金、钼钴合金、钼钯合金、钼铂合金、钼铪合金、钼铑合金、钼锰合金、硅化钼或钼钛合金；和/或

所述第四栅保护层的材质为氮化钼、氮硅化钼、氮化铝钼、氮化铜钼、氮化钨钼、氮化锆钼、氮化铪钼、氮化铑钼、氮化钒钼、氮化钽钼、氮化镍钼、氮化铬钼、氮化钴钼、氮化钯钼、氮化铂钼、氮化锰钼、氮化钛钼、氯硅化钼、氯化铝钼、氯化铜钼、氯化钨钼、氯化锆钼、氯化铪钼、氯化铑钼、氯化钒钼、氯化钽钼、氯化镍钼、氯化铬钼、氯化钴钼、氯化钯钼、氯化铂钼、氯化锰钼、氯化钛钼、磷硅化钼、磷化铝钼、磷化铜钼、磷化钨钼、磷化锆钼、磷化铪钼、磷化铑钼、磷化钒钼、磷化钽钼、磷化镍钼、磷化铬钼、磷化钴钼、磷化钯钼、磷化铂钼、磷化锰钼或磷化钛钼。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的源/漏电极包括源/漏电极金属层和第二源/漏保护层，所述第二源/漏保护层位于源/漏电极金属层和有源层之间，将源/漏电极金属层和有源层隔离；

所述源/漏电极金属层的材质为铜或铜合金。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二源/漏保护层的材质为钼钛合金、钼钨合金、钼锆合金、钼铌合金、钼铜合金、钼钒合金、钼钽合金、钼镍合金、钼铬合金、钼铪合金、钼铑合金、钼钴合金、钼钯合金、钼铂合金、钼铝合金、钼锰合金、硅化钛、硅化钨、硅化锆、硅化铌、硅化铜、硅化钒、硅化钽、硅化镍、硅化铬、硅化铪、硅化铑、硅化钴、硅化钯、硅化铂、硅化铝或硅化锰。

8.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源/漏电极还包括第三组保护层，位于源/漏电极金属层背离第二源/漏保护层的一侧；

所述第三组保护层包括第三源/漏保护层和第四源/漏保护层，所述第三源/漏保护层位于源/漏电极金属层和第四源/漏保护层之间。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第三源/漏保护层的材质为钼铝铌合金、钼钨合金、钼锆合金、钼钒合金、钼钽合金、钼镍合金、钼铬合金、钼钴合金、钼钯合金、钼铂合金、钼铪合金、钼铑合金、钼锰合金、硅化钼或钼钛合金；和/或

所述第四源/漏保护层的材质为氮化钼、氮硅化钼、氮化铝钼、氮化铜钼、氮化钨钼、氮化锆钼、氮化铪钼、氮化铑钼、氮化钒钼、氮化钽钼、氮化镍钼、氮化铬钼、氮化钴钼、氮化钯钼、氮化铂钼、氮化锰钼、氮化钛钼、氯硅化钼、氯化铝钼、氯化铜钼、氯化钨钼、氯化锆钼、氯化铪钼、氯化铑钼、氯化钒钼、氯化钽钼、氯化镍钼、氯化铬钼、氯化钴钼、氯化钯钼、氯化铂钼、氯化锰钼、氯化钛钼、磷硅化钼、磷化铝钼、磷化铜钼、磷化钨钼、磷化锆钼、磷化铪钼、磷化铑钼、磷化钒钼、磷化钽钼、磷化镍钼、磷化铬钼、磷化钴钼、磷化钯钼、磷化铂钼、磷化锰钼或磷化钛钼。

10.如权利要求1～3和5～9中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管或顶栅型薄膜晶体管。