[实用新型]一种逆变颠覆时防止斩波器损坏的高压转子变频器

说明书

技术领域

本实用新型涉及高压电机调速技术领域，具体涉及一种高压变频器中的高压转子变频器。

背景技术

高压转子变频器是国产技术，采用转子侧交直交的电路形式，是一种以低压控制高压，以控制高压电机转差功率为基本原理的调速技术。

目前市场上的高压转子变频器都是以升压斩波电路(Boost)为基本原型的，主电路斩波器大多采用进口1200伏到5000伏IGBT模块，这种IGBT模块内部都集成保护二极管，还有一种专用的斩波IGBT内部除了集成保护二极管外还集成一只逆止二极管。在变频器运行过程中斩波器的损坏多是由于交直交电路的逆变颠覆造成，且多为保护二极管或者逆止二极管击穿，由于击穿部分是IGBT模块内部集成，只能更换整个模块。现有技术中的高压IGBT模块完全依赖进口，价格较高，且IGBT的测试相对常规器件比较麻烦，通常用户对于此类故障无法自行处理，使得用户在对高压转子变频器的认可度降低。

发明内容

本实用新型的目的在于避免现有技术的缺陷提供一种逆变颠覆时防止斩波器损坏的高压转子变频器，从而有效解决现有技术中存在的缺陷。

为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：所述的一种逆变颠覆时防止斩波器损坏的高压转子变频器，其特点是包括整流桥单元，绝缘栅双极型晶体管(IGBT)单元，电容器，保护二极管和晶闸管单元，第一电抗器单元串接设置在整流桥单元正极和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)单元栅极之间，逆止二极管串接设置在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)单元栅极和电容器之间，第二电抗器单元串接设置在电容器和保护二极管阴极之间。

所述的整流桥单元正极输出端串联第一电抗器单元后连接到逆止二极管阳极，逆止二极管阴极串联第二电抗器后连接到晶闸管单元阴极。

所述的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)单元的栅极输入端连接逆止二极管的阳极；所述的电容器的一端连接逆止二极管的阴极；所述的保护二极管的阴极连接到晶闸管单元阴极。

所述的整流桥单元负极、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)单元的射极输出端、电容器的另一端、保护二极管的阳极和晶闸管单元正极相互连接。

本实用新型的有益效果是：所述的一种逆变颠覆时防止斩波器损坏的高压转子变频器，其通过采用对IGBT保护的方法来防止1GBT内部集成二极管损坏。在原有转子变频器基础上加装保护二极管以达到对IGBT的有效保护，其基本不改变设备原体积和内部器件布局，结构简单可靠，造价低廉，容易实现。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型电路控制原理示意图。

图中：10.整流桥单元；20.第一电抗器单元；30.绝缘栅双极型晶体管单元；40.逆止二极管；50.电容器；60.第二电抗器单元；70.保护二极管；80.晶闸管单元。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。

如图1所示，所述的一种逆变颠覆时防止斩波器损坏的高压转子变频器，其特点是包括整流桥单元10，绝缘栅双极型晶体管(IGBT)单元30，电容器50，保护二极管70和晶闸管单元80，第一电抗器单元20串接设置在整流桥单元10正极和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)单元30栅极之间，逆止二极管40串接设置在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)单元30栅极和电容器50之间，第二电抗器单元60串接设置在电容器50和保护二极管70阴极之间。

进一步，所述的整流桥单元10正极输出端串联第一电抗器单元20后连接到逆止二极管40阳极，逆止二极管40阴极串联第二电抗器60后连接到晶闸管单元80阴极。

进一步，所述的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)单元30的栅极输入端连接逆止二极管40的阳极；所述的电容器50的一端连接逆止二极管40的阴极；所述的保护二极管70的阴极连接到晶闸管单元80阴极。

进一步，所述的整流桥单元负极10、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)单元30的射极输出端、电容器50的另一端、保护二极管70的阳极和晶闸管单元80正极相互连接。

所述的一种逆变颠覆时防止斩波器损坏的高压转子变频器，当逆变颠覆时如果没有保护二极管70，电流会通过IGBT单元30内部的保护二极管、逆止二极管40、第二电抗器60形成回路，进而损坏IGBT模块，加入保护二极管70后电流直接经过保护二极管70形成回路，从而避免损坏IGBT。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。