[实用新型]PMOS管栅电压电平移位电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种电平移位电路，尤其涉及一种PMOS管栅电压电平移位电路。

背景技术

电平移位电路将低压控制信号转换为高压控制信号，实现低压逻辑对高压功率输出级的控制，属于高压器件的控制技术领域，在电机驱动、PDP显示、OLED显示等方面得到了广泛的应用。在高压器件的控制技术领域，可将控制电路和高压输出驱动电路集成在一起，实现高耐压、大电流、高精度。为了提供很大的驱动能力，通常需要采用很大的输出级驱动管。电平移位电路作为连接控制电路和输出驱动级的关键电路，一方面要求有很高的驱动能力，满足输出级的驱动要求；另一方面电平移位电路也是高电压工作，要求有比较低的静态电流，从而降低功耗。常规的电平移位电路将低电压控制信号转换为高电压控制信号，用于驱动高压下工作的输出级PMOS管。在该情况下，输出级PMOS管的最大栅源电压为VPP，为保证可靠性，必须使晶体管能够承受VPP的高电压，通常采用增加栅氧厚度等一些复杂的工艺解决，但一方面增加了工艺成本，另一方面当工作电压不断增大时，工艺解决的难度将大幅提高。对于输出级PMOS管，常规的方法是采用低电压控制信号直接驱动。随着工艺的不断发展，控制电路的工作电压不断降低，并且输出级的栅氧厚度较厚，因此造成低电平控制信号的驱动能力不足。

实用新型内容

本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种结构简单、可靠性高、并且低电平控制信号驱动能力强的PMOS管栅电压电平移位电路。

为了达到上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：

一种PMOS管栅电压电平移位电路，包括第一二极管、第二二极管、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管，所述第四MOS管的源极为电压输入端，所述第四MOS管的栅极分别与所述第六MOS管的栅极和所述第五MOS管的栅极连接，所述第四MOS管的漏极分别与所述第五MOS管的漏极和所述第七MOS管的栅极连接，所述第五MOS管的源极分别与所述第六MOS管的源极和所述第七MOS管的源极连接后接地，所述第六MOS管的漏极与所述第一二极管的正极连接，所述第一二极管的负极分别与所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的栅极连接，所述第七MOS管的漏极与所述第二二极管的正极连接，所述第二二极管的负极分别与所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的漏极和所述第三MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的源极分别与所述第二MOS管的源极和所述第三MOS管的源极连接，所述第三MOS管的漏极为电压输入端。

本实用新型的有益效果在于：

本实用新型PMOS管栅电压电平移位电路的结构简单、可靠性高、并且低电平控制信号驱动能力强。

附图说明

图1是本实用新型PMOS管栅电压电平移位电路的电路图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明：

如图1所示，本实用新型PMOS管栅电压电平移位电路，包括第一二极管D1、第二二极管D2、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6和第七MOS管M7，第四MOS管M4的源极为电压输入端，第四MOS管M4的栅极分别与第六MOS管M6的栅极和第五MOS管M5的栅极连接，第四MOS管M4的漏极分别与第五MOS管M5的漏极和第七MOS管M7的栅极连接，第五MOS管M5的源极分别与第六MOS管M6的源极和第七MOS管M7的源极连接后接地，第六MOS管M6的漏极与第一二极管D1的正极连接，第一二极管D1的负极分别与第一MOS管M1的漏极和第二MOS管M2的栅极连接，第七MOS管M7的漏极与第二二极管D2的正极连接，第二二极管D2的负极分别与第一MOS管M1的栅极、第二MOS管M2的漏极和第三MOS管M3的栅极连接，第一MOS管M1的源极分别与第二MOS管M2的源极和第三MOS管M3的源极连接，第三MOS管M3的漏极为电压输入端。

使用本实用新型PMOS管栅电压电平移位电路的工作原理如下所示：

电路工作时，由高电平变为低电平时，第六MOS管M6关断，第七MOS管M7导通，此时假设第二MOS管M2处于开启状态，第二二极管D1两端的电压差为VPP，第二二极管D1反向击穿，存在很大的击穿电流，快速地将第二MOS管M2的漏电压拉低，从而使第一MOS管M1打开，第一MOS管M1的漏电压升高，关闭第二MOS管M2。当第二MOS管M2的漏电压降低到第二二极管D1的反向击穿电压时，电流迅速减小，维持住电压。电压输入由低电平变为高电平时，第六MOS管M6导通，第七MOS管M7关断，第一二极管D1被反向击穿产生很大的电流，第一MOS管M1的漏电压降低，打开第二MOS管M2，将第二MOS管M2的漏电压拉到VPP。