[实用新型]P型硅衬底异质结电池

权利要求书

1.一种P型硅衬底异质结电池，其特征在于，它包括：

一P型晶体硅衬底层（1），其具有一正面和一背面；

一本征非晶硅层（2），沉积在P型晶体硅衬底层（1）的正面上；

一N型非晶硅层（3），沉积在本征非晶硅层（2）的上表面上；

一第一透明导电层（4），位于N型非晶硅层（3）的上表面上；

一上电极层（5），位于第一透明导电层（4）的上表面上并通过第一透明导电层（4）与N型非晶硅层（3）电性连接；

一本征非晶硅锗钝化层（6），沉积在P型晶体硅衬底层（1）的背面上；

一P型非晶硅掺杂层（7），沉积在本征非晶硅锗钝化层（6）的下表面上；

一第二透明导电层（8），位于P型非晶硅掺杂层（1）的下表面上；

一背电极层（9），位于第二透明导电层（8）的下表面上并通过第二透明导电层（8）与P型非晶硅掺杂层（7）电性连接。

2.根据权利要求1所述的P型硅衬底异质结电池，其特征在于：所述的背电极层（9）和/或上电极层（5）为银栅极层。

3.根据权利要求1或2所述的P型硅衬底异质结电池，其特征在于：所述的第一透明导电层（4）和/或第二透明导电层（8）为ITO薄膜。

4.根据权利要求1所述的P型硅衬底异质结电池，其特征在于：所述的P型晶体硅衬底层（1）的厚度范围为90微米~250微米。

5.根据权利要求1所述的P型硅衬底异质结电池，其特征在于：所述的本征非晶硅层（2）的厚度范围为3纳米~10纳米。

6.根据权利要求1所述的P型硅衬底异质结电池，其特征在于：所述的N型非晶硅层（3）的厚度范围为5纳米~15纳米。

7.根据权利要求1所述的P型硅衬底异质结电池，其特征在于：所述的第一透明导电层（4）的厚度范围为60纳米~90纳米。

8.根据权利要求1所述的P型硅衬底异质结电池，其特征在于：所述的本征非晶硅锗钝化层（6）的厚度范围为3纳米~15纳米。

9.根据权利要求1所述的P型硅衬底异质结电池，其特征在于：所述的P型非晶硅掺杂层（7）的厚度范围为5纳米~15纳米。

10.根据权利要求1所述的P型硅衬底异质结电池，其特征在于：所述的第二透明导电层（8）的厚度范围为80纳米~150纳米。