[实用新型]一种谐振子、滤波器件及电磁设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及谐振器件，更具体地说，涉及一种谐振子、滤波器件及电磁设备。

背景技术

谐振器件包括谐振子、谐振腔、滤波器等，其关键参数包括谐振频率、平均功率、Q值等，其中谐振子的性能是关键。现有的谐振子主要包括介质谐振子和金属谐振子，介质谐振子通常是由微波介质陶瓷制成的介质筒，金属谐振子则通常是铜制的金属筒。前者Q值高，耐高功率，但谐振频率较高，体积大；而后者谐振频率低，体积小，但是Q值很低，且不耐高功率，容易击穿。因此如果获得一种谐振子，即具有二者的优点，同时尽可能地避开二者的缺点，是值得研发的新产品。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种体积小、耐高功率、Q值高的谐振子、滤波器件及电磁设备。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种谐振子，包括介质谐振子和所述介质谐振子表面附着的导体层，附有所述导体层的谐振子的表面粗糙度的轮廓算术平均偏差小于1微米。

在本实用新型所述的谐振子中，所述表面粗糙度的轮廓算术平均偏差小于0.4微米。

在本实用新型所述的谐振子中，所述表面粗糙度的轮廓算术平均偏差小于0.1微米。

在本实用新型所述的谐振子中，所述导体层通过溅射工艺镀在所述介质谐振子表面上。

在本实用新型所述的谐振子中，所述介质谐振子的介质为介电常数大于1的材料。

在本实用新型所述的谐振子中，所述介质为陶瓷。

在本实用新型所述的谐振子中，所述导体层的厚度大于1纳米。

在本实用新型所述的谐振子中，所述导体层的厚度在5～500000纳米之间。

在本实用新型所述的谐振子中，所述导体层的厚度在1000～10000纳米之间。

在本实用新型所述的谐振子中，所述导体层的材料为金属。

在本实用新型所述的谐振子中，所述金属为金、银、铜或者含有金、银、铜中一种或多种的合金。

在本实用新型所述的谐振子中，所述导体层的材料为非金属材料。

在本实用新型所述的谐振子中，所述非金属材料为铟锡氧化物、掺铝氧化锌、导电石墨或碳纳米管。

在本实用新型所述的谐振子中，所述导体层设置在所述介质谐振子的外侧表面上且成环形。

本实用新型还涉及一种滤波器件，包括谐振腔和置于所述谐振腔内的上述的谐振子。

本实用新型还涉及一种电磁设备，包括上述的滤波器件。

实施本实用新型的谐振子、滤波器件及电磁设备，具有以下有益效果：在介质谐振子表面尤其是外侧表面上设置导体层能有效降低谐振频率，同时导体层的表面粗糙度低，具有很好的光洁度，能有效降低因导体层引入的Q值损耗，从而保持介质谐振子原有的Q值，在实现相同谐振频率的条件下体积可大大减小同时耐高功率，因而本实用新型制得的谐振子具有诸多优点，应用在相应的滤波器件和电磁设备中可同时大大减小它们的体积。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：

图1是本实用新型第一实施例的谐振子的结构示意图；

图2是本实用新型第二实施例的谐振子的结构示意图。

具体实施方式

本实用新型涉及一种谐振子，如图1、图2所示，包括介质谐振子和介质谐振子表面附着的导体层。

介质谐振子可以为现有的用在腔体滤波器中的任何一种介质谐振子，通常由陶瓷尤其是微波介质陶瓷材料制成，例如以钛酸钡、钛酸锶钡等为主要成分的陶瓷材料。当然介质谐振子也可用其他材料制成，例如聚四氟乙烯、环氧树脂等，只要其介电常数大于1，优选大于30即可。

通常介质谐振子为圆筒形，如图1所示，中间为通孔，内侧表面和外侧表面为圆柱面，上端面和下端面为平面的圆环形。优选导体层附着在介质谐振子的外侧表面上且成环形。导体层的导体可以为金属，例如金、银、铜或含有金、银、铜中一种或多种的合金。导体层的材料还可以为非金属材料，例如铟锡氧化物、掺铝氧化锌、导电石墨或碳纳米管等。

当然介质谐振子不限于图1所示的形状，可以是现有任意一种谐振子所具有的形状，例如圆柱形、方片形、圆台形、方形梯台，或其他任意规则或不规则形状，这都不影响到本实用新型的谐振子的特性，本文不作限制。图2所示的介质谐振子，为圆筒形结构顶部设有具有一定厚度的圆环形盘，导体层设置在该介质谐振子的圆筒形部分的侧表面上。