[实用新型]一种太阳能电池片正面正电极有效
申请号: | 201320199680.5 | 申请日: | 2013-04-19 |
公开(公告)号: | CN203250753U | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 杨喜平;梅晓东;金德礼;王锁平;王兰芳;蔡淘璞;刘东续;赵建华 | 申请(专利权)人: | 中电电气(南京)光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/04 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 程化铭 |
地址: | 211100 江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 正面 电极 | ||
技术领域
本实用新型涉及到一种太阳能电池片正面正电极图形的设计。
背景技术
目前常规太阳能电池片(以M156为例)的正电极栅线布局如图1所示:一般包括3条主栅线和多条细栅线,多条细栅线平行设置,主栅线对称地设计在整个栅线布局的内部,使得多个主栅线垂直于细栅线且将细栅线等分。主栅线的形状多为一条有一定宽度的实线,电极的形状为平头结构或尖头结构。而众所周知,正电极在电池片中主要起到收集电流和导出电流的作用,对电池片性能的影响很大。而影响正面栅线性能的因素主要有欧姆接触、遮光效应以及金属栅线的体电阻率。随着市场对电池效率越来越高的要求,我们希望尽可能大的增加受光面积,收集更多的光生载流子,减小串联电阻,提高短路电流,最终提高电池效率。
发明内容
本实用新型的所要解决的技术问题在于,克服现有技术的缺陷,提出了一种太阳能电池片正面正电极,目的在于在尽可能的减小遮光面积的基础上,能收集到更多的光生载流子,提高太阳能电池片的短路电流,从而提高电池片的效率。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种新的正面正电极图形设计太阳能电池片正面正电极。包括多条相互平行的主栅(主栅线)和多条相互平行的副栅(副栅线),副栅与主栅平行,相邻主栅之间设至少两条副栅,位于电池片最外侧的主栅外侧设至少一条副栅;相邻的主栅与副栅间、相邻的副栅之间及副栅与电池片边缘之间均设有若干条与主栅垂直的相互等距平行的若干细栅线;其特征是:所述主栅由若干矩形条串联构成;副栅与主栅之间的细栅线(细栅)的间距和线宽均大于其他细栅线。
优化方案是:包括3条主栅、6条副栅;各主栅,位于主栅两端的矩形条长度大于其他的矩形条长度。
本实用新型主栅线采用小矩形条与细线搭配的结构,减少了主栅的覆盖面积,减少银浆的用量,增加了太阳能电池片的受光面积;本发明增加了副栅的数量,使收集的电流增多,此外,采用细栅不均匀分布的结构,副栅与主栅间细栅稀疏,其他地方细栅密集,以及主栅不同粗细的设计,在不影响电流收集的前提下,尽量增大了太阳能电池片的受光面积。此种主栅与副栅的设计最终可以提高太阳能电池片的电池效率。
附图说明
图1是现在技术中M156太阳能电池片正面图形的结构示意图。
图2是本发明实施方式太阳能电池片正面结构示意图。
图3是本实用新型M156晶体硅太阳电池正面结构示意图(3条主栅线、6条副栅线)。
图4是本实用新型M156晶体硅太阳电池正面结构示意图(3条主栅线、12条副栅线,主栅之间为两级副栅结构)。
图5是本实用新型M156晶体硅太阳电池正面结构示意图(5条主栅线一级副栅线的正面图形设计,即:5条主栅线、10条副栅线)。
图6是本实用新型M156晶体硅太阳电池正面结构示意图(5条主栅线二级副栅线的正面图形设计,即:5条主栅线、20条副栅线)。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明新型做详细说明。
本实用新型的适用范围:适用于各种晶体硅电池。本实用新型提供一种新的太阳能电池正面图形的设计,包括至少三条主栅和六条副栅,以及多条相互平行的细栅线。主栅设计采用小矩形条与细线搭配的结构,减小了主栅的遮光面积,减少了银浆的用量,增加了受光面积。主栅与副栅之间的细栅相对稀疏,细栅线宽大一些,而其他位置的细栅相对密集,细栅线宽小一些,此正面图形就是依此交错的一种设计。副栅均匀分布在主栅两侧,副栅与主栅之间的细栅相对稀疏,线宽大,其他地方的细栅相对密集,线宽小。增加副栅数有利于光生载流子的收集,细栅之间密集程度不同,在保证不影响电流收集和导出的前提下尽量增加受光面积,从而提高电池片的短路电流,最终达到提高电池效率的目的。
实施例1:如图3所示,本实用新型为M156晶体硅太阳能电池,3条主栅、一级副栅的正面图形设计,包括3条主栅线和6条副栅线,副栅线均匀分布在主栅的两侧,主栅与副栅之间的细栅相对密集,其他地方的细栅相对稀疏。每条主栅线两端的矩形条长度为10.34mm,其他地方的矩形条长度为7mm,矩形条宽度都为1.5mm。主栅线两端细线宽度为0.3mm,中间细线的宽度为0.6mm,长度为11.8mm。副栅线的宽度为0.046mm。副栅均匀分布在主栅的两侧,距主栅的距离为12.98mm,副栅与主栅之间的细栅相对稀疏,线宽为0.052mm,其他地方的细栅相对稀疏,线宽为0.041mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的