[实用新型]一种电子器件的封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种电子器件的封装结构，属于半导体封装技术领域。

背景技术

随着半导体技术的发展，硅通孔互联技术成为半导体封装的常用方法。硅通孔互联技术通常包含硅通孔制作、PECVD（等离子增强气相沉积）技术成形绝缘层以及金属填充，该技术极大地增加了半导体封装的灵活性。

硅通孔互联技术也已经应用于电子器件的封装，如硅基转接板的封装，硅通孔形成过程主要采用“BOSCH”刻蚀方法，即交替使用刻蚀及钝化工艺，“BOSCH”刻蚀方法最终会在孔壁上留下高低起伏的纹路(scallop)，即孔壁波纹，如图1所示，“BOSCH” 的交替刻蚀方法不仅速度慢，而且孔壁波纹造成后续所用PECVD（等离子增强气相沉积）形成的绝缘层覆盖不完整。同时，在硅基转接板的封装过程中，常用CMP（化学机械抛光）工艺进行表面整平及通孔内金属的底端暴露，在此抛光过程中，往往造成金属或金属离子迁移，使器件产生漏电，导致产品失效。以上因素，导致了现有的电子器件的封装技术成本高、产品成品率低。

发明内容

本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种封装结构简单、封装成本低、产品成品率高的电子器件的封装结构。

本实用新型是这样实现的：一种电子器件的封装结构，包括四周设置包封区域的硅基载体，所述硅基载体的上方设置正面再布线金属层、下方背面设置背面再布线金属层,

所述包封区域内设置若干个填充金属的通孔，所述正面再布线金属层与背面再布线金属层通过通孔内金属实现电连接，

所述硅基载体的背面设置型腔，所述型腔内倒装若干个带有金属凸点Ⅰ的IC芯片，所述IC芯片通过金属凸点Ⅰ与背面再布线金属层实现电连接。

可选地，所述硅基载体的正面设置IC芯片区。

可选地，所述硅基载体的型腔内及相邻金属凸点Ⅰ之间设置填充料。

可选地，所述正面再布线金属层与硅基载体的正面之间设置正面绝缘层，所述背面再布线金属层与硅基载体的背面之间设置背面绝缘层。

可选地，所述正面再布线金属层的表面设置正面保护层，并形成若干个正面保护层开口。

可选地，所述正面保护层开口内设置金属微凸点，所述金属微凸点的顶端设置锡块。

可选地，所述背面再布线金属层为多层结构，相邻的背面再布线金属层之间设置介电层和若干个金属凸点Ⅱ，所述金属凸点Ⅱ连接上下相邻的两层背面再布线金属层。

可选地，所述背面再布线金属层的最外层的表面设置背面保护层，并形成若干个背面保护层开口。

可选地，所述背面保护层开口内设置金属柱，所述金属柱的顶端设置锡帽。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型的特点是：

1）电子器件的硅基载体四周的包封区域内设置若干个通孔结构，通孔内的填充金属连接正面再布线金属层和背面再布线金属层，实现了电讯号传递与热传递，结构简单，很好地解决了硅通孔结构的工艺问题，降低了工艺操作的复杂性，也降低了产品成本；

 2）硅基载体内嵌入若干个功能芯片，有效地拓展了电子器件的功能范畴。

附图说明

图1为现有技术产生的硅通孔孔壁波纹的示意图。

图2为本实用新型一种电子器件的封装结构的实施例的示意图。

图3为图2的A-A剖视图。

图中：

硅基载体100

型腔101

IC芯片区110

IC芯片120

金属凸点Ⅰ121

填充料130

包封区域200

通孔201

正面绝缘层310

背面绝缘层320

正面再布线金属层410

背面再布线金属层420

正面保护层510

正面保护层开口511

介电层421

背面保护层520

背面保护层开口521

金属微凸点600

锡块610

金属凸点Ⅱ422

金属柱700

锡帽710。

具体实施方式