[实用新型]一种UHF RFID无源标签芯片的电源电路有效
申请号: | 201320202979.1 | 申请日: | 2013-04-19 |
公开(公告)号: | CN203217613U | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 朱信忠;徐慧英;赵建民 | 申请(专利权)人: | 浙江师范大学 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 赵芳;黄芳 |
地址: | 321004 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 uhf rfid 无源 标签 芯片 电源 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种电源电路。
背景技术
射频识别(Radio Frequency Identification,RFID)技术是一种非接触自动识别技术,通过射频信号自动识别目标并获取相关数据。近年来,随着自动收费、门禁、动物识别和物流管理等应用的开展,RFID 技术正以极快的速度走进人们的日常生活。 RFID 准确性高、存储量大、耐用性强非接触识读、可识别高速运动物体、抗恶劣环境、保密性强、高准确性和安全性、识别码唯一无法伪造、可同时识别多个识别对象的特点,已广泛应用与生产、物流、交通、防伪等领域中,在很多领域将取代条形码作为无线远距离识别的应用。
无源超高频射频识别UHF-RFID标签芯片凭借其无需配备内部电源,价格低,重量轻,体积小的优点而被广泛使用。无源UHF RFID标签工作在射频电磁场的远场区,即无源标签与阅读器的距离较远,从而导致标签天线接收到的射频能量非常低,电压幅度相应很小,这通常无法满足芯片的电源电压幅度值。另外,射频电压为交流电压,而芯片工作需要直流电压,因此需要对射频能量进行整流升压。完成整流升压的装置位于无源标签芯片的射频前端,通常被称为倍压整流电荷泵,它是射频前端的核心模块。尽管无源标签工作射频电磁场的远场区,但是有时它和阅读器的工作距离也会很近,当二者距离近时,标签天线获得的能量就非常高,其感应电压幅值也较大,这时经整流升压后的电压过高,很可能会击穿晶体管,损坏器件,使整个芯片收到损坏,因此在整流升压后要进行限幅稳压。
目前常用的整流升压电路为Dickson电荷泵,Dickson电荷泵存在以下缺点:1、采用肖特基二极管作为升压整流元件,但是在传统的CMOS工艺中集成肖特二极管工艺复杂,成本高。2、采用栅漏极短接的MOS管代替肖特基二极管,虽然便于集成,但是存在阈值损失大,寄生电容大的优点。
实用新型内容
为了克服现有技术的上述不足,本实用新型提供了易于集成,自身能耗低的一种UHF RFID无源标签芯片的电源电路。
一种UHF RFID无源标签芯片的电源电路,包括接受射频信号并将其升压整流的倍压电路,和将升压整流后的电信号进行限幅稳压处理的限压电路和稳压电路;其特征在于:所述的倍压电路包括多个主MOS管,多个反馈MOS管,多个耦合电容,和一个负载电容,前一级主MOS管的栅极与后一级主MOS管的漏极短接,每个主MOS管的漏极连接一个耦合电容,每个主MOS管对应一个反馈MOS管,主MOS管的漏极与反馈MOS管的漏极连接,反馈MOS管的源极与主MOS管的源极连接,反馈MOS管的栅极与前一级主MOS管的漏极连接。
进一步,限压电路包括由多个MOS管组成的主回路,两条与主回路并联的反向放大器线路和开关MOS管连接组成,主回路中相邻的MOS管漏极和栅极短接,每条反向放大器线路均包括一个第一MOS管和两个构成反向放大器的第二MOS管;开关MOS管与主回路、反向放大器线路并联。
进一步,稳压电路包括反馈回路和参考电压基准源电路,反馈回路具有两条支路,每条支路包括两个串联的电阻和设置与电阻之间的MOS管,MOS管的栅极和源极短接。
本实用新型的倍压电路中增加了反馈MOS管,前一级MOS管的栅极由后一级MOS管的电压控制。这样使得电路稳定工作后反馈MOS管处于线性导通状态,以此能够避免阈值电压的损耗,从而提高增益并增大输出电压。
本实用新型具有易于集成,自身能耗低的优点。
附图说明
图1是本实用新型的框图。
图2是Dickson电荷泵的电路图。
图3是倍压电路图。
图4是限压电路图。
图5是稳压电路图。
具体实施方式
一种UHF RFID无源标签芯片的电源电路,包括接受射频信号并将其升压整流的倍压电路,和将升压整流后的电信号进行限幅稳压处理的限压电路和稳压电路;其特征在于:所述的倍压电路包括多个主MOS管,多个反馈MOS管,多个耦合电容,和一个负载电容,前一级主MOS管的栅极与后一级主MOS管的漏极短接,每个主MOS管的漏极连接一个耦合电容,每个主MOS管对应一个反馈MOS管,主MOS管的漏极与反馈MOS管的漏极连接,反馈MOS管的源极与主MOS管的源极连接,反馈MOS管的栅极与前一级主MOS管的漏极连接。
如附图3所示,本实施例的倍压电路由4N+2个NMOS管及2N+1个耦合电容以及一个负载电容构成,其中N是倍压电路的级数。
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