[实用新型]一种修复违规保持时间的电路结构有效
| 申请号： | 201320203028.6 | 申请日： | 2013-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN203217573U | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 李长征 | 申请（专利权）人： | 上海华力创通半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 修复 违规 保持 时间 电路 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种修复违规保持时间的电路结构，该电路包含至少一个时序路径电路，该时序路径电路从寄存器开始，结束于寄存器，两个寄存器之间的矩形区域内设有标准单元高利用率区域，该时序路径电路走线经绕开该标准单元高利用率区域。
2.如权利要求1所述的修复违规保持时间的电路结构，其特征在于：该时序路径电路还在两个寄存器之间设有一组合电路。
3.如权利要求2所述的修复违规保持时间的电路结构，其特征在于：该时序路径电路还在组合电路后设有延迟电路。
4.如权利要求3所述的修复违规保持时间的电路结构，其特征在于：该延迟电路设有二个。
5.如权利要求4所述的修复违规保持时间的电路结构，其特征在于：时序路径电路上的电路器件的延迟时长大于预设门限。
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