[实用新型]一种过流保护芯片有效
| 申请号： | 201320203130.6 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN203415573U | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 欧新华;杨利君;袁琼;孙志斌;刘宗金;石成 | 申请（专利权）人： | 上海芯导电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 冯子玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 保护 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种过流保护芯片，包括一块作为基区的N型半导体衬底，在N型半导体衬底上部部分区域包括P型渗扩的成对的发射区，在每一块P型渗扩区上部部分区域包括N型渗扩的集电区，集电区表面设置导通孔，构成NPNPN型半导体结构，其特征在于：P型渗扩的成对的发射区在N型半导体衬底的同一侧面上。
2.根据权利要求1所述的过流保护芯片，其特征在于：P型渗扩的发射区为三块，可以每两个组成一对。
3.根据权利要求1或2所述的过流保护芯片，其特征在于：N型衬底宽度范围为200-230μm，P型渗扩的发射区深度范围为15-50μm，N型渗扩的集电区深度范围为0.3-12μm。
4.根据权利要求3所述的过流保护电路，其特征在于：P型渗扩的发射区深度范围为20μm，N型渗扩的集电区深度范围为0.8μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海芯导电子科技有限公司，未经上海芯导电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320203130.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有铜圈的复合芯铝绞线
- 下一篇：一种润滑性能好的合页
