[实用新型]双芯片发光二极管有效
| 申请号： | 201320203384.8 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN203218260U | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 吴庆辉 | 申请（专利权）人： | 东贝光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 发光二极管 | ||
1.一种双芯片发光二极管，其特征在于，包含：
一导线架；
一绿光芯片，设置于该导线架的底部，以发出一绿光光源；
一蓝光芯片，设置于该导线架的底部，且相邻设置于该绿光芯片旁，以发出一蓝光光源；
一透明胶体，喷洒或涂布于该绿光芯片及该蓝光芯片上方；以及
一红荧光层，设置于该透明胶体上，受该绿光光源或该蓝光光源激发以产生一混光光源。
2.如权利要求1所述的双芯片发光二极管，其特征在于，该红荧光层为一红荧光片，且黏贴于该透明胶体上，该红荧光片受激发后所发出的发光波长为λR，且600nm≦λR≦670nm。
3.如权利要求2所述的双芯片发光二极管，其特征在于，该红荧光片与该绿光芯片、该蓝光芯片的其中之一或其组合间具有一距离h，且0＜h≦10mm。
4.如权利要求1所述的双芯片发光二极管，其特征在于，该红荧光层为一红荧光粉体，且通过喷洒或蒸镀设置于该透明胶体上，该红荧光粉体受激发后所发出的发光波长为λR，且600nm≦λR≦670nm。
5.如权利要求1所述的双芯片发光二极管，其特征在于，该红荧光层完全罩设于该绿光芯片及该蓝光芯片上方，且接收该绿光芯片及该蓝光芯片所发出的该绿光光源及该蓝光光源，以激发该红荧光层以产生一白光光源。
6.如权利要求1所述的双芯片发光二极管，其特征在于，该红荧光层设置于该绿光芯片或该蓝光芯片上，以接收该绿光芯片或该蓝光芯片的其中之一所发射的光源。
7.如权利要求1所述的双芯片发光二极管，其特征在于，该绿光芯片所发射的该绿光光源的波长为λG，且500nm≦λG≦540nm。
8.如权利要求1所述的双芯片发光二极管，其特征在于，该蓝光芯片所发射的该蓝光光源的波长为λB，且380nm≦λB≦470nm。
9.如权利要求1所述的双芯片发光二极管，其特征在于，该透明胶体与该绿光芯片或该蓝光芯片的高度为m，且m＞0。
10.如权利要求1所述的双芯片发光二极管，其特征在于，该导线架的底部设有一凸块，且该凸块置于该绿光芯片及该蓝光芯片间，以分隔该绿光芯片及该蓝光芯片。
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