[实用新型]一种开关管及显示面板有效
| 申请号： | 201320205588.5 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN203225252U | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 江政隆;陈柏林 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 开关 显示 面板 | ||
1.一种开关管，其特征在于，包括：
第一电极、形成于所述第一电极之上的第一绝缘层、形成于所述第一绝缘层之上的牺牲层、形成于所述牺牲层之上的第二/第三电极金属层以及半导体层；
所述牺牲层和第二/第三电极金属层在同一位置设有蚀刻开口，以使得所述第一绝缘层和半导体层接触；
其中，对所述牺牲层和第二/第三电极金属层进行蚀刻以形成所述蚀刻开口，并在同等蚀刻条件下所述牺牲层与第一绝缘层的蚀刻选择比大于第一设定值，且所述第一设定值大于1。
2.根据权利要求1所述的开关管，其特征在于，
所述牺牲层为氮化硅层，所述第一绝缘层为氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的开关管，其特征在于，
所述第二/第三电极金属层包括第一金属层和位于所述第一金属层之上的第二金属层，所述第一金属层为钼金属层或钛金属层，所述第二金属层为铝金属层，其中，所述第一金属层位于所述牺牲层之上。
4.根据权利要求1所述的开关管，其特征在于，
对所述第二/第三电极金属层进行蚀刻以形成所述蚀刻开口时，在同等蚀刻条件下所述第二/第三电极金属层与所述牺牲层的蚀刻选择比小于第二设定值，且所述第二设定值小于1。
5.根据权利要求1所述的开关管，其特征在于，
所述薄膜晶体管还包括覆盖于所述半导体层之上的第二绝缘层，以保护所述半导体层。
6.根据权利要求1所述的开关管，其特征在于，
所述半导体层为至少包括氧化锌、氧化锡、氧化铟以及氧化镓中的一种的金属氧化物层。
7.根据权利要求1-6任一项所述的开关管，其特征在于，
所述开关管为薄膜晶体管，所述开关管的第一电极对应为薄膜晶体管的栅极，所述开关管的第二电极对应为薄膜晶体管的源极，所述开关管的第三电极对应为薄膜晶体管的漏极。
8.一种显示面板，其特征在于，包括阵列基板、彩色滤光基板以及位于所述阵列基板和彩色滤光基板之间的液晶层；
所述阵列基板包括开关管，所述开关管包括第一电极、形成于所述第一电极之上的第一绝缘层、形成于所述第一绝缘层之上的牺牲层、形成于所述牺牲层之上的第二/第三电极金属层以及半导体层；
所述牺牲层和第二/第三电极金属层在同一位置设有蚀刻开口，以使得所述第一绝缘层和半导体层接触；
其中，对所述牺牲层和第二/第三电极金属层进行蚀刻以形成所述蚀刻开口，并在同等蚀刻条件下所述牺牲层与第一绝缘层的蚀刻选择比大于第一设定值，且所述第一设定值大于1。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，
所述第二/第三电极金属层包括第一金属层和位于所述第一金属层之上的第二金属层，所述第一金属层为钼金属层或钛金属层，所述第二金属层为铝金属层，其中，所述第一金属层位于所述牺牲层之上。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，
对所述第二/第三电极金属层进行蚀刻以形成所述蚀刻开口时，在同等蚀刻条件下所述第二/第三电极金属层与所述牺牲层的蚀刻选择比小于第二设定值，且所述第二设定值小于1。
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