[实用新型]具有超低功耗的上电复位电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种上电复位电路，尤其涉及一种具有超低功耗的上电复位电路。

背景技术

随着芯片集成度的不断提高，低功耗技术在片上系统芯片设计中越来越为研究者所关注，例如无线传感器网络节点芯片对静态功耗的要求越来越苛刻，要求节点芯片能超过持续工作数月甚至数年，芯片的静态功耗主要由数字电路的漏电和模拟电路单元的静态功耗组成，通常数字电路单元的规模很大，其漏电可以通过开关电源技术消除，而模拟电路单元如上电复位电路通常不能采用上述技术关断，只能通过设计静态功耗极小的电路结构以减小整体电路的静态功耗。

上电复位电路是不可缺少的组成部分，它在整个芯片供电的初始阶段为系统提供一个全局复位信号，确保系统从确定的状态启动，此外，芯片工作过程中如果电源电压过低，也需要使系统复位，以防止芯片工作在不稳定状态，上电复位电路是不能被断电的，其稳态功耗占据整个芯片静态功耗的一部分。因此，开发低功耗和高性能的上电复位电路，对低静态功耗的芯片非常重要。

实用新型内容

本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种结构简单、功耗低的具有超低功耗的上电复位电路。

为了达到上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：

一种具有超低功耗的上电复位电路，包括电平检测电路、锁存电路和欠压检测电路，所述电平检测电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第十一MOS管、第一三极管、第二三极管和第三三极管，所述第十一MOS管的源极为电压输入端，所述第十一MOS管的漏极分别与所述第一电阻的第一端、所述第二电阻的第一端、所述第三电阻的第一端、所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第一三极管的集电极、所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极连接，所述第二三极管的集电极分别与所述第二电阻的第二端、所述第三三极管的基极、所述第一MOS管的漏极和所述第五电阻的第一端连接，所述第二三极管的发射极与所述第四电阻的第一端连接，所述第三三极管的集电极与所述第三电阻的第一端、所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的栅极和所述第三MOS管的栅极连接，所述第二MOS管的漏极与所述第三MOS管的漏极连接，所述第一三极管的发射极与所述第四电阻的第二端、所述第三三极管的发射极、所述第五电阻的第二端和所述第三MOS管的源极连接后接地。

具体地，所述锁存电路包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第五反相器、第六反相器、第一电容、第二电容、第三电容、第四MOS管和第五MOS管，所述第四MOS管的漏极与所述第二MOS管的漏极连接，所述第四MOS管的源极分别与所述第一电容的第一端、所述第五MOS管的源极和所述第一反相器的信号输入端连接，所述第一电容的第二端接地，所述第五MOS管的漏极为电压输入端、所述第五MOS管的栅极分别与所述第三反相器的信号输入端和所述第二反相器的信号输出端连接，所述第一反相器的信号输出端分别与所述第二反相器的信号输入端、所述第三反相器的信号输出端、所述第二电容的第一端和所述第四反相器的信号输入端连接，所述第二电容的第二端为电压输入端，所述第四反相器的信号输出端与所述第五反相器的信号输入端连接，所述第五反相器的信号输出端与所述第六反相器的信号输入端连接，所述第六反相器的信号输出端与所述第四MOS管的栅极连接。

具体地，所述欠压检测电路包括第七反相器、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管和第三电容，所述第七反相器的信号输出端与所述第十一MOS管的栅极连接后再与外接电路连接，所述第七反相器的信号输入端分别与所述第二反相器的信号输出端和所述第九MOS管的漏极连接，所述第十MOS管的漏极与所述第一电容的第一端连接，所述第十MOS管的源极分别与所述第九MOS管的源极、所述第八MOS管的源极和所述第三电容的第一端连接后接地，所述第十MOS管的栅极分别与所述第九MOS管的栅极、所述第七MOS管的漏极和所述第八MOS管的漏极连接，所述第七MOS管的栅极与所述第八MOS管的栅极连接，所述第八MOS管的栅极为电压输入端，所述第七MOS管的源极分别与所述第三电容的第二端、所述第六MOS管的漏极和所述第六MOS管的栅极连接，所述第六MOS管的源极为电压输入端。

本实用新型的有益效果在于：

本实用新型具有超低功耗的上电复位电路的结构简单、功耗低。

附图说明

图1是本实用新型具有超低功耗的上电复位电路的电路图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明：