[实用新型]阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术，特别涉及一种阵列基板和包括所述阵列基板的显示装置。

背景技术

阵列基板分为显示区和与所述显示区邻接的周边区，所述显示区被划分为多个像素单元，每个所述像素单元内都设置有薄膜晶体管和像素电极，在每个所述像素单元内，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极通过过孔电连接。但是，过孔内的金属与像素电极相接触时会产生较大的接触电阻，从而造成公共电极和像素电极之间电荷分布不均匀。

因此，如何使公共电极和像素电极之间电荷均匀分布成为本领域亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种阵列基板以及一种包括所述阵列基板的显示装置。在所述阵列基板中，公共电极与像素电极之间电荷分布均匀。

为了实现上述目的，作为本实用新型的一个方面，提供一种阵列基板，该阵列基板包括显示区和与所述显示区邻接的周边区，所述显示区包括多个像素单元，每个所述像素单元内都设置有薄膜晶体管和像素电极，其中，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极直接接触。

优选地，所述阵列基板还包括公共电极线，所述像素单元包括公共电极，所述公共电极与所述公共电极线直接接触。

优选地，所述像素电极包括像素电极本体和从所述像素电极本体上突出的连接部，所述连接部与所述薄膜晶体管的漏极直接接触。

优选地，所述连接部位于所述薄膜晶体管的漏极与所述薄膜晶体管的栅极绝缘层之间。

优选地，所述连接部覆盖所述薄膜晶体管的漏极的上表面的一部分。

优选地，所述薄膜晶体管的有源层包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分覆盖所述薄膜晶体管的源极的上表面的至少一部分，所述第二部分覆盖所述薄膜晶体管的栅极绝缘层的上表面的一部分，所述第三部分覆盖所述薄膜晶体管的漏极的上表面的至少一部分。

优选地，所述周边区设置有栅线引线、在所述栅线引线的上方与该栅线引线电连接的栅线引线电极、公共电极线引线、设置在所述公共电极线引线上方且与该公共电极线引线电极、数据线引线和设置在所述数据线引线上方且与该数据线引线电连接的数据线引线电极，所述栅线引线与所述显示区内的栅线一一对应地电连接，所述公共电极线引线与所述显示区内的公共电极线一一对应地电连接，所述数据线引线与所述显示区内的数据线一一对应地电连接，所述栅线引线电极、公共电极线引线电极和数据线引线电极均用于与外部驱动电路电连接。

优选地，所述栅线引线、公共电极线引线与所述栅线、所述公共电极线在同一膜层；和/或所述数据线引线与所述数据线在同一膜层。

优选地，所述薄膜晶体管的有源层由氧化物制成。

优选地，所述氧化物为铟镓锌氧化物。

作为本实用新型的另一个方面，还提供一种显示装置，所述显示装置包括阵列基板，其中，所述阵列基板为本实用新型所提供的上述阵列基板。

在本实用新型所提供的阵列基板中，像素电极与薄膜晶体管之间并未通过过孔电连接，而是直接接触，从而不会产生接触电阻，可以使得使公共电极和像素电极之间电荷均匀分布。

附图说明

附图是用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本实用新型，但并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1是本实用新型提供的阵列基板的第一种实施方式的像素单元的一部分的俯视图；

图2是图1的C-C剖视图；

图3是图1的D-D剖视图；

图4是本实用新型提供的阵列基板的第一种实施方式的周边区的一部分的俯视图；

图5是图4的A-A剖视图；

图6是本实用新型提供的阵列基板的第一种实施方式的周边区的另一部分的俯视图；

图7是图6的B-B剖视图；

图8是形成图1中所示的阵列基板的工序图；

图9是本实用新型提供的阵列基板的第二种实施方式的像素单元的一部分的俯视图；

图10是图9的E-E剖视图；

图11是图9的F-F剖视图；

图12是制造本实用新型所提供的阵列基板的流程图。

附图标记说明

11：漏极               12：有源层的图形

13：源极               14：栅极绝缘层

15：栅线               16：钝化层

17：数据线             20：像素电极

21：像素电极本体       22：连接部

30：衬底基板           40：公共电极