[实用新型]一种红外OLED显示装置有效

专利信息
申请号: 201320215169.X 申请日: 2013-04-25
公开(公告)号: CN203218268U 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 刘亚伟;吴元均 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L31/04
代理公司: 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 代理人: 潘中毅;熊贤卿
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 红外 oled 显示装置
【权利要求书】:

1.一种红外OLED显示装置,其特征在于,包括:

用于显示红外图像的多个红外OLED器件;

用于通过吸收太阳光将太阳能转换生成电能的太阳能电池;

用于将所述太阳能电池所生成电能的电压,转换为适于为所述红外OLED器件供电的电压的变压器;以及

用于存储经所述变压器转换电压后的电能,为所述红外OLED器件供电的可充电电池;

所述太阳能电池与所述变压器连接,所述变压器与所述可充电电池连接,所述可充电电池分别与所述多个红外OLED器件连接。

2.根据权利要求1所述的红外OLED显示装置,其特征在于,所述红外OLED器件的结构从上至下依次为:无机保护层、阴极、电子传输层、空穴阻挡层、红外发光层、空穴传输层、阳极、隔离保护层以及柔性基板。

3.根据权利要求2所述的红外OLED显示装置,其特征在于,所述无机保护层包覆在所述阴极、电子传输层、空穴阻挡层、红外发光层、空穴传输层以及阳极上,与所述隔离保护层相接。

4.根据权利要求2所述的红外OLED显示装置,其特征在于,所述隔离保护层是无机介质致密层与聚合物层的交替结构。

5.根据权利要求4所述的红外OLED显示装置,其特征在于,所述无机介质致密层的材料从下述材料中选择:透明氧化物薄膜、透明氟化物薄膜、氮化硅系列SixNy、硫系玻璃、ZnS、SiOxNy或SiOxCy。

6.根据权利要求5所述的红外OLED显示装置,其特征在于,所述透明氧化物薄膜包括TiO2、MgO、SiO2、ZrO2、ZnO或Al2O3,所述透明氟化物薄膜包括LiF或MgF2,所述氮化硅系列SixNy包括Si3N4、TiN或SiNx,所述硫系玻璃包括Se、Te或Sb。

7.根据权利要求4所述的红外OLED显示装置,其特征在于,所述聚合物层材料可以从下述材料中选择:聚对二甲苯类材料、聚烯类材料、聚酯类材料或聚酰亚胺PI。

8.根据权利要求7所述的红外OLED显示装置,其特征在于,所述聚对二甲苯类材料包括聚对二甲苯PPX或聚-氯对二甲苯PCPX,所述聚烯类材料包括聚乙烯PE、聚苯乙烯PS、聚丙烯PP、聚对苯二甲酸乙烯PET、聚四氟乙烯PTFE或可溶性聚四氟乙烯PFA,所述聚酯类材料包括聚苯二甲酸乙二醇酯PEN、聚碳酸酯PC、聚甲基丙烯酸甲脂PMMA、聚醋酸乙烯脂PVAC或聚醚砜树脂PES。

9.根据权利要求2所述的红外OLED显示装置,其特征在于,

所述无机保护层的材料从TiO2、SiO2、Al2O3、SiNx、SiOxNy、SiOxCy或类金刚石薄膜DLC中选择;

所述阴极的材料为Al或Ag;

所述电子传输层的材料为8-羟基喹啉铝Alq3;

所述空穴阻挡层的材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯TPBI或2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉BCP;

所述红外发光层的材料为酞菁铜或三(8-羟基喹啉)铒;

所述空穴传输层的材料为N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-二苯基-1,1′-二苯基-4,4′-二胺TPD,或N,N′-双(1-奈基)-N,N′-二苯基-1,1′-二苯基-4,4′-二胺NPD;

所述阳极的材料为氧化铟锡ITO。

10.根据权利要求2所述的红外OLED显示装置,其特征在于,所述柔性基板是塑料基板、薄膜基板、薄玻璃基板或不锈钢箔基板。

11.根据权利要求1所述的红外OLED显示装置,其特征在于,所述红外OLED器件的结构从上至下依次为:阴极、电子传输层、空穴阻挡层、红外发光层、空穴传输层、阳极以及硬屏基板。

12.根据权利要求1所述的红外OLED显示装置,其特征在于,所述太阳能电池是有机太阳能电池或无机太阳能电池,所述有机太阳能电池是聚合物异质p-n结结构,其中的有机异质p-n结材料是聚(3-己基噻吩)P3HT : [6,6]-苯基碳61-丁酸甲基酯PCBM混合物、聚(2—甲氧基, 5(2'—乙基己氧基)—1,4—苯撑乙烯撑)MEH-PPV : [6,6]-苯基碳61-丁酸甲基酯PCBM混合物或聚[2-甲氧基-5-(3′,7′-二甲基辛氧基)-1,4-苯乙炔]MDMO-PPV : [6,6]-苯基碳61-丁酸甲基酯PCBM混合物,所述无机太阳能电池是非晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池或无机化合物半导体薄膜太阳能电池。

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