[实用新型]铝合金/铬硅夹心肖特基二极管

权利要求书

1.一种铝合金/铬硅夹心肖特基二极管，其特征是：该二极管在金属层和半导体之间的接口上有一个整流结，其中该改进的二极管包括形成于预混层的一个层，该层至少由三种元素组成，包括插在金属层和半导体之间的铬、硅和碳，形成了整流结。

2.根据权利要求1所述的铝合金/铬硅夹心肖特基二极管，其特征是：其中半导体有一个衬底和一个表面，该表面有第一个含有杂质浓度的区域，第二个区域伴随着第一个区域而形成，该区域是拥有第二个杂质浓度的区域，该表面被绝缘层覆盖，第一个孔穿过该绝缘层毗连的第一个区域，第二个孔穿过绝缘层毗连的第二个区域，第一个导体穿过第一个孔与第一个区域相连，第二个导体穿过第二个孔与第二个区域相连，其中该层形成于预混层，该层至少由三种元素组成，包括插在金属层和半导体之间的铬、硅和碳。

3.根据权利要求2所述的铝合金/铬硅夹心肖特基二极管，其特征是：其中的衬底是由硅构成的，该衬底是由p型杂质惨杂的；第一个区域是由n型杂质惨杂的，第二个区域也是由n型杂质惨杂的，但第二个区域的惨杂浓度比第一个区域的惨杂浓度高；其中第一个导体是由铝构成的，该导体至少由一个元素构成，该元素是铝、铜和硅中的一种；隔热层由二氧化硅构成，其中预混合层插在第二个导体和第二个区域之间。

4.根据权利要求1所述的铝合金/铬硅夹心肖特基二极管，其特征是：其中预混合层包含的硅来自源以外的半导体。

5.根据权利要求1所述的铝合金/铬硅夹心肖特基二极管，其特征是：一个该肖特基二极管包括：一个杂质惨杂的硅衬底，该衬底有一个被氧化的表面和一个形成在氧化物上的接触孔，该接触孔暴露在硅衬底下表面的一个区域；多种元素的一个层包括硅、碳和铬结合到硅衬底底下被暴露的表面区域，来提供一个肖特基阻挡层，该层大体上在硅衬底底下被暴露的表面区域的上方；一个金属层电耦合到多元素肖特基阻挡层。

6.根据权利要求5所述的铝合金/铬硅夹心肖特基二极管，其特征是：其中多元素的肖特基阻挡层包括来自源以外的硅衬底。