[实用新型]晶圆清洗装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置。

背景技术

对于半导体产业而言，随着半导体器件关键尺寸的不断缩小以及新材料的引入，在半导体器件的制造过程中，对半导体基板如晶圆表面的洁净度要求越来越严苛，同时，由于半导体器件关键尺寸的缩小使得清洗的工艺窗口变窄，进而使既要满足基板清洗效率又要尽量减小基板表面刻损和结构损坏变得不那么容易。而现如今，对于基板上的污染物的去除能力以及基板表面的刻损和结构损坏程度的要求越来越高，基板上的污染物如颗粒、有机物和金属通常需要用化学反应或物理力作用来克服化学键的引力或物理粘附力从而被去除。

目前基板清洗仍以湿式清洗为主，湿式清洗通常分为槽式清洗和单片清洗两种方式。槽式清洗能同时处理若干片基板，具有很高的清洗效率，然而，随着半导体器件关键尺寸的缩小，槽式清洗已经越来越无法适应湿式清洗的要求。槽式清洗的最大缺点是污染物去除率受到一定的限制，这是因为即使在清洗中使用高纯度的化学试剂与去离子水，从基板上清洗下来的污染物仍然存在于清洗液中，会对基板造成二次污染。为了避免基板被二次污染，单片清洗正逐步取代槽式清洗，单片清洗能有效防止基板的二次污染。在基板的清洗过程中，新的化学试剂和去离子水不断地供应到基板的表面，而用过的化学试剂与去离子水直接排出并被回收。此外，成品率也是转型到单片清洗的一个重要因素，通过使用单片清洗可以有效提高100纳米及以下工艺的成品率。与槽式清洗相比，单片清洗具有清洗效果好，清洗液回收率高，能有效防止交叉污染等优势，不过产能相比槽式清洗而言比较低。

在一些工艺中，为了获得较佳的清洗效果，需要采用槽式清洗和单片清洗相结合的方式对基板进行清洗，而现有的槽式清洗装置和单片清洗装置是完全独立分开的两套装置，基板在槽式清洗装置中清洗并干燥后，再放入单片清洗装置中清洗和干燥，从而导致清洗工艺周期长，清洗成本高，且两套装置占用空间大。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶圆清洗装置，该装置不仅能够对晶圆进行槽式清洗和单片清洗，而且该装置能够缩短晶圆清洗工艺周期，降低清洗成本，此外，该装置占用空间小。

为实现上述目的，本实用新型提供的一种晶圆清洗装置，包括：主体框架、晶圆装载端口、晶圆传送装置、槽式清洗装置及单片清洗装置。晶圆装载端口设置于主体框架的外侧端，晶圆传送装置、槽式清洗装置及单片清洗装置设置于主体框架内。晶圆装载端口接收和放置晶圆盒，晶圆盒存放晶圆。槽式清洗装置开设有用于传送晶圆的第一晶圆进出口，槽式清洗装置用于一片或多片晶圆的浸泡清洗。单片清洗装置开设有用于传送晶圆的第二晶圆进出口，单片清洗装置用于单片晶圆的清洗和干燥。晶圆传送装置在晶圆装载端口的晶圆盒、槽式清洗装置及单片清洗装置之间传送晶圆。

综上所述，本实用新型晶圆清洗装置通过将槽式清洗装置和单片清洗装置集成于主体框架内，由一套晶圆传送装置完成晶圆的传送，缩短了晶圆清洗工艺周期，降低了生产成本，且集成于一套装置后占用空间缩小。

附图说明

图1揭示了根据本实用新型的晶圆清洗装置的结构示意图。

图2揭示了根据本实用新型的晶圆清洗装置的又一结构示意图。

图3揭示了根据本实用新型的晶圆传送装置的结构示意图。

图4揭示了根据本实用新型的晶圆传送装置的又一结构示意图。

图5揭示了根据本实用新型的晶圆传送装置的传送机械手的一实施例的结构示意图。

图6揭示了根据图5的沿VI-VI的剖面结构示意图。

图7揭示了根据本实用新型的晶圆传送装置的传送机械手的又一实施例的结构示意图。

图8揭示了根据本实用新型的槽式清洗装置的结构示意图。

图9揭示了根据本实用新型的槽式清洗装置的槽式清洗槽的结构示意图。

图10揭示了根据本实用新型的槽式清洗装置的密封盖的结构示意图。

图11揭示了根据本实用新型的密封盖的剖视图。

图12揭示了根据本实用新型的槽式清洗装置打开密封盖的结构示意图。

图13揭示了根据本实用新型的槽式清洗装置打开密封盖的又一结构示意图。

图14揭示了根据本实用新型的槽式清洗装置的又一结构示意图。

图15揭示了根据本实用新型的槽式清洗装置的又一实施例的结构示意图。

图16揭示了根据本实用新型的单片清洗装置的结构示意图。

图17揭示了根据图16的沿XVII-XVII的剖面结构示意图。

图18揭示了根据图17的B处的局部放大图。

具体实施方式