[实用新型]倒装LED芯片焊接保护结构有效
申请号: | 201320219366.9 | 申请日: | 2013-04-26 |
公开(公告)号: | CN203277488U | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 王维昀;周爱新;毛明华;李永德;马涤非;吴煊梁 | 申请(专利权)人: | 东莞市福地电子材料有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44 |
代理公司: | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人: | 雷利平 |
地址: | 523082 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 倒装 led 芯片 焊接 保护 结构 | ||
技术领域
本发明创造涉及倒装LED芯片,具体涉及其焊接保护结构。
背景技术
在对倒装LED芯片进行倒装固晶焊接时,例如锡膏、银浆等焊料可能会外溢爬上芯片。现有技术中仅在芯片底面对P欧姆接触层和N欧姆接触层进行钝化绝缘,避免焊接处即芯片底面的P欧姆接触层和N欧姆接触层之间发生短路,但没有考虑到焊料会外溢爬到更上层,故对芯片侧壁的更上层没有实施绝缘保护措施,而芯片上有的侧壁既有P型层,又有N型层,例如P电极一侧的侧壁自芯片底面至芯片顶面依次为P欧姆接触层、P半导体层、有源发光层、N半导体层和衬底,故当进行P电极的焊接时,如果焊料外溢爬上该侧的侧壁接触到N半导体层,就会导致P、N之间直接短路或漏电。
发明内容
本发明创造的目的是防止倒装LED芯片倒装固晶焊接时P、N之间直接短路或漏电。
为此给出倒装LED芯片焊接保护结构,芯片的第一侧壁既有P型层又有N型层,其特征是,第一侧壁被绝缘的钝化层从芯片底面覆盖至衬底底面。在被钝化层覆盖之前,第一侧壁从芯片底面开始被蚀刻至衬底底面。覆盖第一侧壁的钝化层外侧平齐于同侧的衬底。覆盖第一侧壁的钝化层材料为SiO2、SiNx、SiNOx或Al2O3。
芯片的不同时有P型层和N型层的第二侧壁也被绝缘的钝化层从芯片底面覆盖至衬底底面。在被钝化层覆盖之前,第二侧壁从芯片底面开始被蚀刻至衬底底面。覆盖第二侧壁的钝化层外侧平齐于同侧的衬底。覆盖第二侧壁的钝化层材料为SiO2、SiNx、SiNOx或Al2O3。
有益效果:芯片倒装固晶焊接时,即使焊料外溢上爬,也由于有钝化层在芯片的侧壁进行绝缘保护,该侧的P型层和N型层就不会短路或漏电了。最好在钝化层覆盖之前先蚀刻侧壁,这样钝化层的覆盖操作较容易实现,且能够让钝化层外侧平齐于同侧的衬底,从而使芯片侧面整齐。
附图说明
图1是倒装LED芯片焊接保护结构示意图。
具体实施方式
如图1,倒装LED芯片包括衬底1、N半导体层2、N欧姆接触层3、有源发光层4、P半导体层5和P欧姆接触层6。在芯片底面对P欧姆接触层和N欧姆接触层进行钝化绝缘形成钝化层80,避免焊接处即芯片底面的P欧姆接触层6和N欧姆接触层3之间发生短路,此乃现有技术。
图中,左侧壁是第一侧壁,右侧壁是第二侧壁。由图可知:第一侧壁既有P型层5、6,又有N型层2;第二侧壁有N型层2、3但没有P型层,属于不同时有P型层和N型层的侧壁。
第一侧壁从芯片底面开始被蚀刻至衬底1底面,然后被绝缘的钝化层81从芯片底面覆盖至衬底1底面,覆盖第一侧壁的钝化层81外侧平齐于同侧的衬底1;第二侧壁从芯片底面开始被蚀刻至衬底1底面,然后被绝缘的钝化层82从芯片底面覆盖至衬底1底面,覆盖第二侧壁的钝化层82外侧平齐于同侧的衬底1。至此形成焊接保护结构。
钝化层80、81、82材料为SiO2、SiNx、SiNOx或Al2O3。
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