[实用新型]绝缘栅双极型晶体管

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管（20，30），其特征在于，包括：

发射极（29，39）；以及

半导体主体，其中所述半导体主体包括：

第一基区（24，34），具有第一导电类型，

源区（25），具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，与所述发射极（29，39）电接触，并与所述第一基区（24，34）形成第一pn-结；

至少一个沟槽，其中所述至少一个沟槽被填充有栅电极（26），其中，所述至少一个沟槽具有：第一沟槽部（261），具有第一宽度；以及第二沟槽部（262），具有第二宽度；所述第二宽度不同于所述第一宽度；以及

凹槽（G1，G2），形成在所述半导体主体的表面上并且至少部分形成在所述源区（25）处，

其中，所述发射极（29，39）的一部分填充所述凹槽（G1，G2），使得所述发射极与所述源区（25）和所述第一基区（24，34）接触。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管（20，30），其中，所述凹槽（G1，G2）的深度大于或等于由所述源区（25）和所述第一基区（24，34）形成的第一pn-结的深度。

3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管（20，30），其特征在于，所述凹槽（G1，G2）在与所述至少一个沟槽的延伸方向相同的横向方向延伸。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管（20，30）,其特征在于，所述凹槽（G1，G2）在垂直方向的深度在0.2至0.5之间。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管（30），其特征在于，所述半导体主体包括至少两个沟槽，并且所述凹槽（G1，G2）至少部分设置在所述两个沟槽之间。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管（30），其特征在于，

所述绝缘栅双极型晶体管（30）还包括：防闩锁区（P），形成在所述第一基区（34）中，且位于所述凹槽（G2）的底部，具有所述第一导电类型，并且掺杂浓度大于所述第一基区（34）的掺杂浓度，

其中，所述发射极（39）与所述防闩锁区（P）接触。

7.根据权利要求6所述的绝缘栅双极型晶体管（20，30），其特征在于，

所述防闩锁区（P）的外围形成有横向扩散区，

所述横向扩散区具有所述第一导电类型，并且位于所述第一基区（34）中的不影响沟道形成的区域内。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管（20，30），其特征在于，

所述第二沟槽部（262）沿所述绝缘栅双极型晶体管（30）的垂直方向设置在所述第一沟槽部（261）之下，其中，在所述绝缘栅双极型晶体管（30）的横向方向，所述第二宽度大于所述第一宽度。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管（20，30），其特征在于，

所述第一沟槽部（261）的第一宽度是沿所述第一沟槽部的均匀宽度。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管（20，30），其特征在于，

所述至少一个沟槽包括绝缘部（27），至少将所述栅电极（26）与所述源区（25）和所述第一基区（24，34）绝缘。

11.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管（20，30），其特征在于，

所述源区（25）包括第一源区和第二源区，

其中，所述第一基区（24，34）的一部分位于所述第一源区和所述第二源区之间。

12.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管（20，30），其特征在于，

所述源区（25）包括第一源区和第二源区，

其中，所述第一基区（24，34）的位于所述发射极一侧的表面的一部分位于所述第一源区和所述第二源区的位于所述发射极一侧的表面之间。

13.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管（20，30），其特征在于，

所述源区（25）包括第一源区和第三源区，

其中，所述凹槽（G1，G2）的一部分设置在所述第一源区和所述第三源区之间。