[实用新型]一种太阳能电池用焊带及太阳能电池组件有效
申请号: | 201320220757.2 | 申请日: | 2013-04-27 |
公开(公告)号: | CN203277454U | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 姜占锋;王胜亚;孙翔;胡娟;方水丽;曹君超 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518118 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 用焊带 组件 | ||
技术领域
本实用新型属于太阳能电池领域,尤其涉及一种太阳能电池用焊带及太阳能电池组件。
背景技术
单独的晶体硅太阳能电池片发电量小,且十分易碎,不方便实际使用,实际应用中要将多个电池片连接封装成组件。例如,将多个电池片连接成电池组,再将多个电池组排列成整齐的列阵,同一排的各电池片之间串联连接,各排电池片并联连接,串联连接时用细焊带的一端与上一个电池片的背电极电连接,另一端与下一个电池片的正面电极电连接。
太阳能组件受光面焊带宽度是随着电流密度的大小渐变,电流密度小则焊带窄,电流密度渐大则焊带渐宽,电池片受光面焊带焊接宽度从窄到宽,焊接面积为等腰三角形或等腰梯形,或直角三角形等。背光面电极连接的焊带宽度与受光面电极连接的焊带最宽处保持一致,形状为矩形,如图1所示。
电池片背光面焊接的受高温面积远大于受光面焊接受高温面积。电池片与焊带在高温下焊接在一起,冷却到室温,焊接后受光面与背光面焊接面积不同,以及焊带基材铜与硅的热胀冷缩系数不同,产生应力,导致焊接后,电池片两端向电池片背光面翘曲,电池片中间部位向受光面拱起,电池片变形变脆,在铺设和层压过程中易发生裂片或隐裂。导致组件安全性能下降,电性能下降。
实用新型内容
本实用新型为解决焊带热胀冷缩系数不同,应力大的技术问题,提供一种热胀冷缩的面积小,应力小的太阳能电池用焊带及其太阳能电池组件。
本实用新型提供了一种太阳能电池用焊带,所述焊带包括第一焊带部,所述第一焊带部上设有n个弧形凸起部;弧形凸起部的弧长比弦长之间的长度差为△L,0.4mm≤n*△L≤1mm。
优选地,0.45mm≤n*△L≤0.65mm。
优选地,所述弧形凸起部为2-5个。
优选地,所述弧形凸起部的总弧长为30.4-38.5mm。
优选地,所述弧形凸起部的总弦长为30-37.5mm。
优选地,所述弧形凸起部设置在背电极的位置。
优选地,所述焊带还包括第二焊带部,所述第二焊带部的宽度随着电流密度的大小渐变。
优选地,所述第一焊带部和第二焊带部为一体。
本实用新型提供了一种太阳能电池组件,包括若干太阳能电池片及焊带,太阳能电池片之间,太阳能电池片与负载之间通过焊带电连接;其中,所述焊带为本实用新型所述的焊带。
优选地,所述太阳能电池片包括受光面电极和背光面电极,一个太阳能电池片的背光面电极上焊接第一焊带,受光面电极上焊接第二焊带。
附图说明
图1是现有技术提供的太阳能电池用焊带的结构示意图;
图2是本实用新型提供的太阳能电池用焊带的结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
如图2所示,一种太阳能电池用焊带,所述焊带包括第一焊带部1,所述第一焊带部上设有n个弧形凸起部2;弧形凸起部的弧长比弦长之间的长度差为△L,0.4mm≤n*△L≤1mm。
由于电池片与焊带在高温下焊接在一起,而焊带基材铜与电池片基材硅的热胀冷缩系数不同,冷却时,产生应力。本实用新型通过在膨胀较多的焊带的表面设置有弧形凸起部,在冷却收缩时,焊带的弧形凸起部补偿了焊带的收缩长度,降低因热胀冷缩产生的应力,降低高温焊接后导致的电池片翘曲形变。从而降低太阳能电池在焊接和层压后的隐裂和裂片。
式(1)是基材在升高温度时的线膨胀系数计算公式:
ɑ=(Lt- L0)/ (L0·t) (1)
其中,ɑ:线胀系数,Lt:温度t℃时的长度,L0:温度0℃时的长度。
本实用新型是以硅铜重合长度 L0=143.5mm,铜的线胀系数:17.9×10-6℃-1,多晶硅的线胀系数:2.32×10-6℃-1,只考虑了长度方向上的线胀,计算230°到25°焊带和硅片的延伸差值,
△L= (ɑ铜- ɑ硅)×(t230-t25)×L0
=(17.9-2.32)×(230-25)×143.5×10-6 =0.458 mm。
本实用新型的发明人经过上述计算后,同时考虑到其他因素,得到本发明的补偿量,即n*△L的范围。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪股份有限公司,未经比亚迪股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320220757.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:内具偏置发电机的外回转式发电装置
- 下一篇:一立轴二独立卧轴雕铣机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的