[实用新型]一种剥离涂层下缝隙内电位二维分布测量装置有效

专利信息
申请号: 201320223233.9 申请日: 2013-04-27
公开(公告)号: CN203229575U 公开(公告)日: 2013-10-09
发明(设计)人: 许进;孙成;于长坤;吴堂清;闫茂成;龙康 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C23F13/22 分类号: C23F13/22
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 屈芳
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 剥离 涂层 缝隙 电位 二维 分布 测量 装置
【权利要求书】:

1.一种剥离涂层下缝隙内电位二维分布测量装置,其特征在于,包括底板、置于底板上并与底板固定的盖板,其中盖板与底板之间具有缝隙,所述盖板一侧为溶液区,另一侧上均匀间隔设置阵列式盐桥,所述底板上对应阵列式盐桥的位置设置整体矩形试样放置区。

2.按照权利要求1所述的剥离涂层下缝隙内电位二维分布测量装置,其特征在于,所述溶液区内设置有一个与外加电源相连的溶液区辅助电极和一个连接外加电源用的溶液区盐桥。

3.按照权利要求1所述的剥离涂层下缝隙内电位二维分布测量装置,其特征在于,盖板与底板的两端通过铆钉密封固定在一起,盖板与底板之间设置具有厚度的垫片,盖板与底板之间通过垫片形成缝隙区,溶液区与缝隙区相通。

4.按照权利要求1所述的剥离涂层下缝隙内金属腐蚀试验装置,其特征在于,所述阵列式盐桥的数目根据实验具体要求设置N个,用以测量剥离涂层下缝隙内电位二维分布变化。

5.按照权利要求1所述的剥离涂层下缝隙内电位二维分布测量装置,其特征在于,阵列式盐桥的数目N为64。

6.按照权利要求5所述的剥离涂层下缝隙内电位二维分布测量装置,其特征在于,所述阵列式盐桥排列为8×8或4×16。

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