[实用新型]一种三相逆变器并联IGBT驱动系统有效
申请号: | 201320225281.1 | 申请日: | 2013-04-27 |
公开(公告)号: | CN203261256U | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 彭志 | 申请(专利权)人: | 上海途日新能源科技有限公司 |
主分类号: | H02M7/5387 | 分类号: | H02M7/5387 |
代理公司: | 上海三和万国知识产权代理事务所(普通合伙) 31230 | 代理人: | 陈伟勇 |
地址: | 200237 上海市闵行*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三相 逆变器 并联 igbt 驱动 系统 | ||
1.一种三相逆变器并联IGBT驱动系统,包括一IGBT驱动及保护电路、并联IGBT模块,其特征在于:还包括1路PWM控制电路,1路PWM控制电路连接1路推挽式MOSFET变换电路,推挽式MOSFET变换电路的输出端连接3路隔离变压器;
每路隔离变压器的输出端连接2路整流电路;
每路整流电路的输出端连接一IGBT驱动及保护电路,并为三相逆变桥中的6路IGBT驱动及保护电路提供驱动电源;
每路IGBT驱动及保护电路均连接一互补推挽功率放大电路,互补推挽功率放大电路为并联IGBT模块提供驱动电流。
2.根据权利要求1所述的一种三相逆变器并联IGBT驱动系统,其特征在于,PWM控制电路由集成电压型PWM控制芯片和定时阻容电路构成。
3.根据权利要求2所述的一种三相逆变器并联IGBT驱动系统,其特征在于,推挽式MOSFET变换电路包括两个参数相同MOSFET管,两个参数相同MOSFET管漏极之间连接一RC滤波电路。
4.根据权利要求3所述的一种三相逆变器并联IGBT驱动系统,其特征在于,隔离变压器一次侧连接至两个参数相同MOSFET管的漏极以及集成电压型PWM控制芯片的电源端;
二次侧连接至整流电路。
5.根据权利要求4所述的一种三相逆变器并联IGBT驱动系统,其特征在于,IGBT驱动及保护电路由带光耦隔离与故障保护功能的集成芯片、充电延时电容、过流或短路保护检测电阻、快恢复二极管、互补推挽功率放大电路及并联IGBT模块驱动电阻构成;
带光耦隔离与故障保护功能的集成芯片的正电源端和负电源端均连接至每路整流电路输出端;
每路整流电路正负电压公共端连接至带光耦隔离与故障保护功能的集成芯片U2的接地端。
6.根据权利要求5所述的一种三相逆变器并联IGBT驱动系统,其特征在于,并联IGBT模块驱动电阻分别连接并联IGBT模块的栅极;带光耦隔离与故障保护功能的集成芯片的接地端连接至并联IGBT模块的发射集;快恢复二极管的负极连接至并联IGBT模块的集电极。
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