[实用新型]双半桥注入锁相功率合成荧光灯

说明书

技术领域

本实用新型涉及电光源照明技术领域，具体是一种双半桥注入锁相功率合成荧光灯。

背景技术

现有技术电子镇流器通用LC或RC振荡器作为荧光灯电光源，产生的振荡频率受温度变化稳定性差影响功率不够稳定，导致光强下降，虽然这种电子镇流器，结构简便，成本低。要求大功率照明势必增大器件电流，使其功率管功耗剧增温升过高导致振荡频率变化，结果会使灯光随频率变化功率幅值失衡。同时，大电流通过线圈温升高磁性导磁率下降，磁饱和电感量变小阻抗趋向零，灯具工作时间与温升正比，温升高加速器件老化，轻则灯管发光不稳定亮度下降，重则烧坏器件缩短使用寿命。

发明内容

本实用新型的目的是提供振荡频率高稳定相位同步，大功率照明的双半桥注入锁相功率合成荧光灯。

本实用新型技术解决方案为：包括电源滤波器EMI、整流桥堆、荧光灯管、功率因数校正APFC、基准晶振、分频器、两个自振荡芯片、半桥逆变器A、半桥逆变器B、相加耦合器、灯管异常电流检测器，其中，基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成，第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻，并分别并接接地电容，同时，还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器，基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器，自振荡芯片内含RC振荡器、半桥逆变驱动电路，两个自振荡芯片RC振荡器共接电阻R₁₁和电容C₁₅产生同步振荡，输出分别经半桥逆变驱动电路连接均由两个功率MOS场效应管互补组成的半桥逆变器A、半桥逆变器B，自振荡芯片及半桥逆变器A输出功率变压器T₂与自振荡芯片及半桥逆变器B输出功率变压器T₃反相馈入相加耦合器，功率合成匹配荧光灯管启辉，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片RC振荡器C_T端锁定相位，灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片RC振荡器C_T端控制振荡快速停振，电网电源经电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC输出电压接入基准晶振、分频器、自振荡芯片及半桥逆变器A和自振荡芯片及半桥逆变器B的电源端；

其中，功率因数校正APFC由整流桥堆输出经磁性变压器T₁电感L₃接Q₁漏极、升压二极管VD₁₁至电容C₁₁作为功率因数校正APFC输出，电阻R₄接整流桥堆输出引入芯片IC₄电源端，并与磁性变压器T₁电感L₄经二极管VD₅检波电压为芯片IC₄控制门限开启，电阻R₂、R₃接整流桥堆输出分压取样接入芯片IC₄乘法器一端，乘法器另一端接电阻R₈、R₉分压取样输出电压，乘法器输出与Q₁源极接地电阻点连接峰值电流检测比较器，芯片IC₄输出接Q₁栅极，磁性变压器T₁电感L₅高频电压由二极管VD_6～9整流、二极管VD₁₀稳压、电容C₁₂滤波接基准晶振、分频器电源端。

本实用新型产生积极效果：解决双半桥逆变振荡高稳频、相位同步功率合成，达到单个自振荡半桥逆变器难以得到的大功率荧光灯照明，避免器件温升高振荡频率变化功率失衡，稳定灯光延长使用寿命。

附图说明

图1本实用新型技术方案原理框图

图2基准晶振电路

图3双半桥注入锁相功率合成荧光灯电路

具体实施方式