[实用新型]双全桥注入锁相功率合成卤素灯组

说明书

技术领域

本实用新型涉及电光源照明技术领域，具体是一种双全桥注入锁相功率合成卤素灯组。

背景技术

现有技术通常用LC或RC振荡器作为卤素灯电光源，产生的振荡频率受温度变化稳定性差影响功率不够稳定，导致光强下降，虽然结构简单，成本低廉。但要得到大功率照明势必增大器件电流，致使振荡功率管功耗剧增温升过高导致振荡频率变化，结果会使灯光随频率变化功率幅值失衡。同时，大电流通过线圈温升高磁性导磁率下降，磁饱和电感量变小阻抗趋向零，灯具工作时间与温升正比，温升高加速器件老化，轻则灯管发光不稳定亮度下降，重则烧坏器件缩短使用寿命。由两个振荡逆变功率叠加拖动大功率灯，解决器件功率容量限制。但是，功率合成振荡电压相位应一致，以克服非线性互调功率不均衡。

发明内容

本实用新型的目的是提供逆变振荡高稳频相位同步，大功率照射的一种双全桥注入锁相功率合成卤素灯组。

本实用新型技术解决方案为：包括电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC、卤素灯管组、基准晶振、分频器、两个自振荡芯片、全桥逆变器A、全桥逆变器B、相加耦合器、灯管异常电流检测器，其中，基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成，第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻，并分别并接接地电容，同时，还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器，基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器，自振荡芯片内含振荡器、全桥逆变驱动电路，两个自振荡芯片振荡器共接电阻R₁₁、电容C₁₄同步振荡，输出分别经全桥逆变驱动电路连接均由四个大功率MOS场效应管两组互补半桥构成的全桥逆变器A、全桥逆变器B，自振荡芯片及全桥逆变器A输出功率变压器T₂与自振荡芯片及全桥逆变器B输出功率变压器T₃反相馈入相加耦合器功率合成匹配卤素灯管组，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片EXO端锁定相位，灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片SD端，控制振荡快速停振关断全桥逆变器功率MOS场效应管，电网电源经电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC输出电压接入基准晶振、分频器、自振荡芯片及全桥逆变器A和自振荡芯片及全桥逆变器B的电源端；

其中，灯管异常电流检测器由卤素灯管组一端接相加耦合器T₄电感L₁₁，另一端穿过灯电流检测互感磁环接地，电感L₁₂接二极管VD₁₃检波，电容C₁₉、电阻R₁₅滤波经电阻R₁₃、R₁₄分压、三极管触发两个自振荡芯片灯故障保护控制端SD；

功率因数校正APFC由芯片IC₄、功率MOS场效应管Q₅、升压二极管VD₁₂、磁性变压器T₁及电阻、电容组成，整流桥堆输出经T₁电感L₃接Q₅漏极、升压二极管VD₁₂至电容C₁₁作为APFC输出，二极管VD₁₁供C₁₁预充电，电阻R₄接整流桥堆输出引入芯片电源端，并与T₁电感L₄经二极管VD₅检波电压为芯片控制门限开启，电阻R₂、R₃接整流桥堆输出分压取样接入芯片乘法器一端，乘法器另一端接电阻R₈、R₉分压取样输出电压，乘法器输出与Q₅源极接地电阻点连接峰值电流检测比较器，芯片输出接Q₅栅极，T₁电感L₅电压由二极管VD_6～9整流、二极管VD₁₀稳压、电容C₁₂滤波接基准晶振、分频器电源端。

本实用新型产生积极效果：解决双全桥逆变振荡高稳频、相位同步功率合成，达到单个自振荡全桥逆变器难以得到的大功率卤素灯组照明，避免器件温升高振荡频率变化功率失衡，稳定灯光延长使用寿命。

附图说明

图1本实用新型技术方案原理框图

图2基准晶振电路

图3双全桥注入锁相功率合成卤素灯组电路

具体实施方式