[实用新型]双全桥注入锁相功率合成黑光灯组

权利要求书

1.一种双全桥注入锁相功率合成黑光灯组，包括电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC、黑光灯管组，其特征在于：还包括功率因数校正APFC、基准晶振、分频器、两个自振荡芯片、全桥逆变器A、全桥逆变器B、相加耦合器、灯管异常电流检测器，其中，基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成，第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻，并分别并接接地电容，同时，还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器，基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器，自振荡芯片内含振荡器、全桥逆变驱动电路，两个自振荡芯片振荡器共接电阻R₁₁、电容C₁₄同步振荡，输出分别经全桥逆变驱动电路连接均由四个功率MOS场效应管两组互补半桥合成的全桥逆变器A、全桥逆变器B，自振荡芯片及全桥逆变器A输出功率变压器T₁与自振荡芯片及全桥逆变器B输出功率变压器T₂反相馈入相加耦合器功率合成匹配黑光灯管组，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片EXO端锁定相位，灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片SD端，控制振荡快速停振关断全桥逆变器功率MOS场效应管，电网电源经电源滤波器EMI、整流桥堆至功率因数校正APFC接入基准晶振、分频器、自振荡芯片及全桥逆变器A和自振荡芯片及全桥逆变器B的电源端。

2.根据权利要求1所述的双全桥注入锁相功率合成黑光灯组，其特征在于：灯管异常电流检测器由黑光灯管组一端接相加耦合器T₄电感L₁₁，另一端穿过灯电流检测互感磁环接地，电感L₁₂接二极管VD₁₃检波，电容C₁₉、电阻R₁₅滤波经电阻R₁₂、R₁₃分压、三极管触发两个自振荡芯片灯故障保护控制端SD。

3.根据权利要求1所述的双全桥注入锁相功率合成黑光灯组，其特征在于：功率因数校正APFC由芯片IC₄、功率MOS场效应管Q₅、升压二极管VD₁₂、磁性变压器T₁及电阻、电容组成，整流桥堆输出经T₁电感L₃接Q₅漏极、升压二极管VD₁₂至电容C₁₁作为APFC输出，二极管VD₁₁供C₁₁预充电，电阻R₄接整流桥堆输出引入芯片电源端，并与T₁电感L₄经二极管VD₅检波电压为芯片控制门限开启，电阻R₂、R₃接整流桥堆输出分压取样接入芯片乘法器一端，乘法器另一端接电阻R₈、R₉分压取样输出电压，乘法器输出与Q₅源极接地电阻点连接峰值电流检测比较器，芯片输出接Q₅栅极，T₁电感L₅电压由二极管VD_6～9整流、二极管VD₁₀稳压、电容C₁₂滤波接基准晶振、分频器电源端。