[实用新型]DC/DC转换器的恒流电路有效

专利信息
申请号: 201320228005.0 申请日: 2013-05-01
公开(公告)号: CN203206117U 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 肖国庆 申请(专利权)人: 上海芯地信息科技有限公司
主分类号: H02M3/156 分类号: H02M3/156
代理公司: 上海东方易知识产权事务所 31121 代理人: 沈原
地址: 201108 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: dc 转换器 流电
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及集成电路设计,具体地说是一种用于直流(DC/DC)转换器中的恒定电流限制电路。

背景技术

现有技术中DC/DC转换器工作环路包括锯齿波产生电路、BLCK结构的电压转换电路、输出电压反馈电路和开关电流限制电路。锯齿波的斜率由两部分相加:第一部分是一个固定的斜率,由转换器以外的集成元件提供;第二部分的斜率与开关电流成正比,由开关电流检测电路从接入输入电压的NMOS开关管漏极上获得。转换电路的输出电压经反馈网络产生一反馈电压,该电压接到误差放大器的负输入端,误差放大器的输出端为第一节点 ,节点l 的电压与据齿波电压相比较后产生一方波输出,该方波的占空比决定输出电压。开关电流增加,锯齿波电压峰值也会增加,节点l 电压随之增加,从而输出占空比保持不变。当第一节点电压增加到一定值时,电流限制电路把节1的电压钳制在这一电压,如果开关电流继续增加,占空比就会变小,开关管的导通时间变短,开关电流的增加受到抑制而稳定下来。

上述开关电流限制电路是由一个偏置电压和一个下拉P型MOS管或PNP晶体管组成,下拉P型MOS管漏极(或PNP晶体管的集电极)连接误差放人器的输出端,偏置电压接到下拉P型MOS管(或或PNP晶体管)的栅极。该电路有两个缺点:

1、下拉管本身的阈值存在一定的工艺和温度偏差,第一节点的电压也存在一定这影响了限制电流的精度。

2、在输出电压变化范围比较宽的情况下, 限制电流会随着输出电压的升高而变小。原因是第一节点的电压被限制在某一电压上, 因此锯齿波的峰值电压被限制在该电压上。开关限制电流的大小有峰值电压减去在这个时刻上的固定斜率锯齿波电压的电压差来决定。在输入电压不变的情况下,输出电压越高,占空比变大, 固定斜率锯齿波的电压越高,电压差变小, 这样开关限制电流变小, 所以限制电流会随着输入电压的升高而变小。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是克服上述现有技术中所存在的缺陷,提供一种用于DC/DC转换器中的恒定电流限制电路。

本实用新型采用了下列技术方案解决了其技术问题:DC/DC转换器的恒流电路,包括运算放大器、下拉管和偏置电压产生电路,其中DC/DC转换器中的误差放大器输出端为第一节点,连接所述下拉管的漏极和所述运算放大器的同相输入端,所述下拉管的栅极连接所述运算放大器的输出端,所述下拉管的源极接地,偏置电压产生电路的输出端接至所述运算放大器的反相输入端,所述偏置电压产生电路的输入端接至DC/DC转换器中驱动电路的输入端。

本实用新型不仅提高了限制电流的精度和反应时间, 而且减小了限制电流随着随着输出电压的升高而变小的程度,限制电流基本上与芯片工作状态无关。与传统的电流限制电路相比, 该发明在两个方面做了改进: 

1、限制电流更精确。用一个运放和一个下拉管代替传统的下拉P管。 第一节点的电压小于偏置电压时, 下拉管关闭,第一节点的电压上升到偏置电压值时,运放将钳制第一节点 的电压于偏置电压。

2、限制电流与芯片工作状态无关。增加了偏置电压产生电路,偏置电压等于一个固定电压加上一个与驱动电路输出时钟相关的电压,此电压峰值与时钟脉冲宽度成正比,由于时钟周期不变,其峰值也与时钟占空比成正比。那么第一节点允许的最高电压和占空比有关。当输入电源电压或输出电压变化时,驱动电路输出时钟也相应的变化, 其表现为时钟占空比相应变化。电压调整器输出电压也会随之调整,第一节点允许的最高电压也相应的变化。电流限制电路的误差主要由斜率补偿引入的电压随占空比变化引起的。本实用新型通过巧妙的设计,使第一节点允许的最高电压随占空比变化的部分刚好等于斜率补偿引入的误差,从而使最大允许的电流与占空比无关,此时限制电流为一常数。例如,占空比越大时,经过斜率补偿后的峰值电流采样电压中斜率补偿引入的误差电压成分越大,同时本实用新型中第一节点允许的最高电压也增加变得越高, 抵消掉斜率补偿引入的电压,使开关限制电流维持不变。

3、由于偏置电压产生电路的输入端接至DC/DC转换器中驱动电路的输入端,因此用于建立补偿的时间的时间较短,故限流较快。

附图说明

图l 本实用新型DC/DC转换器的恒定电流电路图。

图2本实用新型的偏置电压产生电路。

具体实施方式

以下结合实施例以及附图对本实用新型作进一步的描述。

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