[实用新型]一种KU波段高频头

权利要求书

1.一种KU波段高频头，包括馈源、导波管、电路板盒、电路板及接头，所述导波管连接在所述馈源和所述电路板盒之间，所述电路板设置在所述电路板盒内，所述接头设在电路板盒上，其特征在于:所述电路板上设有upc3250T7L控制芯片和分别与其连接的高频放大模块、中频输出模块、稳压模块及晶振锁相模块；所述稳压模块包括三端稳压管、第十九电容（C19）和第二十电容（C20）； 

其中，所述中频输出模块包括第十八电容（C18）、第二十一电容（C21）、第六电阻（R6）、第七电阻（R7）和第八电阻（R8），所述第六电阻（R6）一端接所述控制芯片的TonePo脚，其另一端分别接所述第七电阻（R7）、第八电阻（R8）和所述第二十一电容（C21）的一端，所述第七电阻（R7）的另一端接地，所述第八电阻（R8）另一端和所述第二十一电容（C21）的另一端连接并且该连接节点和所述三端稳压管的第一端（a）连接；所述第十八电容（C18）一端和所述控制芯片的IFout脚连接，其另一端与所述三端稳压管的第一端（a）连接； 

所述高频放大模块接收的卫星信号经所述控制芯片处理后通过所述中频输出模块输出，其中，所述控制芯片将所述卫星信号转换为输出信号，并在该输出信号输出之前比较其与参考输入信号之间的频率和相位差别并通过所述控制晶振锁相模块产生相匹配的本振频率对所述输出信号进行调整，直至所述 输出信号的频率和相位与所述参考输入信号同步并保持一致后，再将所述输出信号传输至所述中频输出模块。 

2.根据权利要求1所述的KU波段高频头，其特征在于，所述高频放大模块包括第一场效应晶体管（Q1）、第二场效应晶体管（Q2）和第三场效应晶体管（Q3），所述第一场效应晶体管（Q1）的栅极G1通过所述导波管接一路射频信号，所述第一场效应晶体管（Q1）的源极S1串第五电容（C5）后接第三场效应晶体管（Q3）的栅极G3，所述第一场效应晶体管（Q1）的漏极D1接地；所述第二场效应晶体管（Q2）的栅极G2通过所述导波管接另一路射频信号，所述第二场效应晶体管（Q2）的源极S2串第四电容（C4）后接第三场效应晶体管（Q3）的栅极G3，所述第二场效应晶体管（Q2）的漏极D2接地；所述第三场效应晶体管（Q3）的源极S3和所述控制芯片的RFin脚连接，其漏极D3接地。 

3.根据权利要求1所述的KU波段高频头，其特征在于，所述晶振锁相模块包括晶振、第十电阻（R10）、第十一电容（C11）和第十二电容（C12），所述控制芯片的XO1脚依顺序串所述晶振和所述第十电阻（R10）后和所述控制芯片的XO2脚连接，所述第十一电容（C11）的一端连接在所述XO1脚和所述晶振之间的连接点上，所述第十二电容（C12）的一端连接在所述第十电阻（R10）和所述晶振之间的连接点上，所述第十一电容（C11）和第十二电容（C12） 的另一端均接地。 

4.根据权利要求1所述的KU波段高频头，其特征在于，所述电路板上还设有滤波模块，所述滤波模块连接在所述高频放大模块连接，其另一端通过第八电容（C8）和所述控制芯片的RFin脚连接。