[实用新型]TDP治疗板的温度控制电路

权利要求书

1.一种TDP治疗板的温度控制电路，其特征在于：包括第一输入端（N）及第二输入端（L）、双向可控硅（SCR）、控制单元（MCU）及与控制单元（MCU）连接的供电单元，所述控制单元（MCU）的输入端（INT）与第一电阻（R1）的一端连接，第一电阻（R1）另一端与第一输入端（N）连接，控制单元（MCU）的输入端（INT）与第二输入端（L）之间连接有第一电容（C1），第一电容（C1）的正极连接于第一电阻（R1）与控制单元（MCU）的输入端（INT）之间，第一电容（C1）的负极接地，所述双向可控硅（SCR）的控制端（G）与控制单元（MCU）的输出端（OUT）之间连接有第二电容（C2），双向可控硅（SCR）的第一端子（A1）与第一输入端（N）之间连接有电阻丝（R3），双向可控硅（SCR）的第二端子（A2）与第二输入端（L）连接。

2.根据权利要求1所述的TDP治疗板的温度控制电路，其特征在于：所述的供电单元包括依次串联连接的第三电容（C3）、第一二极管（D1）、第二电阻（R2），第二电阻（R2）的一端与第一二极管（D1）的阴极连接，第一二极管（D1）的阳极与第三电容（C3）的负极连接，第三电容（C3）的正极接于第一输入端（N）与第一电阻（R1）之间；第二电阻（R2）的另一端与接地端并联连接有稳压二极管（DZ）、第四电容（C4）及无极性电容（E），稳压二极管（DZ）的阳极与一第二二极管（D2）的阳极连接，第二二极管（D2）的阴极接于第三电容（C3）与第一二极管（D1）之间；第四电容（C4）正极与控制单元（MCU）供电端（VCC）连接。

3.根据权利要求2所述的TDP治疗板的温度控制电路，其特征在于：所述无极性电容（E）为铁壳油浸电容。

4.根据权利要求1-3任一项所述的TDP治疗板的温度控制电路，其特征在于：所述第一输入端（N）与第三电容（C3）正极之间连接有第一保险管（F1），第二输入端（L）与双向可控硅（SCR）的第二端子（A2）之间连接有第二保险管（F2）。