[实用新型]用于硅太阳能电池制造工段PECVD镀膜的气路系统有效
申请号: | 201320234181.5 | 申请日: | 2013-05-03 |
公开(公告)号: | CN203333759U | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 郝立辉;郭爱军 | 申请(专利权)人: | 晶澳太阳能有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波 |
地址: | 055550 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 太阳能电池 制造 工段 pecvd 镀膜 系统 | ||
1.用于硅太阳能电池制造工段PECVD镀膜的气路系统,该气路系统包括管路接口(1)、进气管路(2)、一级分支管路(4)、二级分支管路(6)和均流管路(7),所述管路接口(1)连接在进气管路(2)的进气端,所述的一级分支管路(4)为一根管路,进气管路(2)的出气端与一级分支管路(4)位于中部的管段相连通,所述的二级分支管路(6)为两根管路,两根二级分支管路(6)并排设置,一级分支管路(4)位于两端的两个出气端分别与两根二级分支管路(6)位于中部的管段相连通,两根二级分支管路(6)的出气端均与所述的均流管路(7)相连通,所述均流管路(7)上均匀开设有多个均流气孔,其特征在于:所述的均流气孔为螺丝孔(9),每一个螺丝孔(9)内均安装一颗具有上下贯通的气道的中空螺丝(10),气体从管路接口(1)进入,最后经中空螺丝(10)的气道后吹扫出来。
2.根据权利要求1所述的用于硅太阳能电池制造工段PECVD镀膜的气路系统,其特征在于:所述一级分支管路(4)在位于中部的管段上安装有三通接头(3),该三通接头(3)中的其中两个接口分别与一级分支管路(4)相连通,另一个接口与进气管路(2)的出气端相连通。
3.根据权利要求1所述的用于硅太阳能电池制造工段PECVD镀膜的气路系统,其特征在于:所述的两根二级分支管路(6)中,每一根二级分支管路(6)在位于中部的管段上均安装有一个三通接头(5),该三通接头(3)中的其中两个接口分别与二级分支管路(6)相连通,另一个接口与一级分支管路(4)位于其中一端的出气端相连通。
4.根据权利要求1至3任一项所述的用于硅太阳能电池制造工段PECVD镀膜的气路系统,其特征在于:所述的中空螺丝(10)包括头部(102)和杆部(101),中空螺丝(10)的气道包括自上向下开设的出口圆孔(103)、颈部圆孔(104)、锥孔(105)和入口圆孔(106),所述的出口圆孔(103)、颈部圆孔(104)、锥孔(105)和入口圆孔(106)相连通,入口圆孔(106)的下孔口与均流管路(7)相连通,上孔口与锥孔(105)相连通,所述锥孔(105)为上小下大的锥形孔,锥孔(105)的上孔径与颈部圆孔(104)的孔径相同,锥孔(105)的下孔径与入口圆孔(104)的孔径相同,所述出口圆孔(103)开设在中空螺丝(10)的头部(102),出口圆孔(103)的孔径大于锥孔(105)的上孔径。
5.根据权利要求4所述的用于硅太阳能电池制造工段PECVD镀膜的气路系统,其特征在于:所述出口圆孔(103)、颈部圆孔(104)、锥孔(105)和入口圆孔(106)的中心线均相重合。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的