[实用新型]一种高亮度有机发光二极管器件及其背光源和显示装置有效
申请号: | 201320237945.6 | 申请日: | 2013-05-06 |
公开(公告)号: | CN203277505U | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 杨帆;申智渊;高卓;黄宏;付东 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 516001 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 亮度 有机 发光二极管 器件 及其 背光源 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及有机发光二极管OLED(Organic Light Emitting Diode) 器件领域,尤其涉及的是一种具有高发光效率的有机发光二极管器件。
背景技术
有机发光二极管(以下简称OLED)具有超轻薄、主动发光、功耗低、响应速度快等优点,正成为新一代的固体光源,基于OLED的显示器也已经走向了市场,未来OLED显示器和有机发光光源的进一步发展将主要取决于OLED的效率、寿命等因素,而此效率的提高将大大促进OLED其它性能的提高,因此提高OLED的效率仍然是OLED显示器和有机发光光源实业化至关重要的环节。
由于OLED器件是多层结构,不同材料的光学系数不同,有机发光层发出的光在传输过程中受到玻璃基底/空气界面全反射和ITO薄膜与玻璃、有机层波导效应的作用,使得OLED器件的出光效率很低。
在OLED有机层发出的光到达玻璃基底/空气界面时,当界面入射角大于临界角时光就会发生全反射,光在基底内传播而不能耦合到空气中。因此不仅影响OLED的出光效率,而且光子在器件内部的存在也会使得有机材料容易老化而缩短寿命。
至于波导效应,则可通过改变导波条件或者在器件边缘镀反射膜来克服,如何克服玻璃基底/空气界面的全反射就成为改善OLED出光效率的关键。
尽管减少玻璃基底/空气界面的全反射,已经有许多研究单位和技术人员对此进行研究,也取得了一定的成果,例如通过增加玻璃基底的粗糙度、涂布微球粒或覆盖散射介质等手段来实现,这些技术理论上都可以不同程度的提高OLED器件的出光效率。
但是,涂布微球粒或覆盖散射介质,会导致工艺复杂度增加,良品率下降,成本很高;而且散射层中的散射粒子在不同角度观察时,光谱会发生变化;而简单地增加玻璃基底的粗糙度只是对到达玻璃基底/空气界面的光随机进行散射,仍然会造成一部分光不能顺利被散射出光而导致出光效率不高。
因此,现有技术尚有待改进和发展。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种高亮度有机发光二极管器件,可提高光耦合到外界的效率。
同时,本实用新型还提供一种背光源,可提高其所用OLED器件的出光强度。
以及,本实用新型还提供一种显示装置,可提高其所用OLED器件的出光效率。
本实用新型的技术方案如下:一种高亮度有机发光二极管器件,包括盖板层、上电极层、有机层、下电极层和衬底层,所述上电极层设置在所述盖板层的内侧表面上,所述下电极层设置在所述衬底层的内侧表面上,所述有机层夹设在所述上电极层与下电极层之间,其中:在所述盖板层外侧表面上设置有表面低于该盖板层表面的第一凹槽,和/或,在所述衬底层的外侧表面上设置有表面低于该衬底层表面的第二凹槽。
所述的高亮度有机发光二极管器件,其中:所述第一凹槽和所述第二凹槽的底面均为光滑过渡的曲面,所述第一凹槽和所述第二凹槽的口部均呈圆形。
所述的高亮度有机发光二极管器件,其中:在沿该有机发光二极管器件厚度方向纵向剖开的截面上,所述第一凹槽和所述第二凹槽的底面轮廓线形状均为小于等于二分之一的圆弧形。
所述的高亮度有机发光二极管器件,其中:在沿该有机发光二极管器件厚度方向纵向剖开的截面上,所述第一凹槽和所述第二凹槽的底面轮廓线形状均为小于等于二分之一的椭圆弧形。
所述的高亮度有机发光二极管器件,其中:所述第一凹槽在所述盖板层上的排列分布呈连续交叉组合在一起的正六边型结构。
所述的高亮度有机发光二极管器件,其中:所述第二凹槽在所述衬底层上的排列分布呈连续交叉组合在一起的正六边型结构。
一种背光源,包括有机发光二极管器件,其中:所述有机发光二极管器件为上述中所述的高亮度有机发光二极管器件。
一种显示装置,包括由有机发光二极管器件组成的背光模组,其中:所述有机发光二极管器件为上述中所述的高亮度有机发光二极管器件。
本实用新型所提供的一种高亮度有机发光二极管器件及其背光源和显示装置,由于在OLED器件的表层采用了凹槽的结构,使得原先入射角θ大于临界角θc的光线不再产生全反射而耦合到空气中,由此提高了OLED器件的出光效率。
附图说明
图1是本实用新型高亮度OLED器件实施例一的层结构示意图。
图2是本实用新型高亮度OLED器件所用盖板层与现有技术普通OLED器件所用盖板层的光路原理比对图。
图3是本实用新型高亮度OLED器件实施例二的平面示意图。
图4是本实用新型高亮度OLED器件实施例三的平面示意图。
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