[实用新型]一种镍氢电池过充电保护电路

权利要求书

1.一种单节镍氢电池过充电保护电路，其特征在于：包括主电路和外部控制电路，所述主电路包括镍氢电池、稳压二极管TL431及锂电池保护芯片S8261，镍氢电池的正极依次通过稳压二极管TL431、第一电阻R1与锂电池保护芯片S8261的引脚5相接；

所述镍氢电池的正极与所述稳压二极管TL431的阳极A相接，所述稳压二极管TL431的阴极K与所述第一电阻R1相接；所述镍氢电池的负极直接与所述锂电池保护芯片S8261的引脚6相接；

所述锂电池保护芯片S8261的引脚2通过第二电阻R2与所述镍氢电池的负极相接；所述锂电池保护芯片S8261的引脚3通过外部控制电路控制所述镍氢电池的充电器的通断。

2.如权利要求1所述的单节镍氢电池过充电保护电路，其特征在于：所述外部控制电路包括第一控制电路和第二控制电路，所述第一控制电路包括P型MOS管PQ、二极管D1；所述第二控制电路包括N型MOS管NQ、光电耦合器OC，具体的，

所述第一控制电路中所述P型MOS管PQ的源极S与所述稳压二极管TL431的参考极R相接；所述P型MOS管PQ的栅极G与所述锂电池保护芯片S8261的引脚3相接；所述P型MOS管PQ的源极S还并接有为所述N型MOS管NQ提供导通电压的直流电源Vcc1，所述P型MOS管PQ的源极S与直流电源Vcc1之间还设有第四电阻R4；所述P型MOS管PQ的漏极D依次通过所述二极管D1、第三电阻R3与所述第二控制电路中的所述N型MOS管NQ栅极G相接；

所述第二控制电路中，所述N型MOS管NQ的源极S接地，所述N型MOS管的漏极D通过第五电阻R5与所述光电耦合器OC的基极相接，所述光电耦合器OC控制所述镍氢电池充电器的通断。

3.如权利要求2所述的单节镍氢电池过充电保护电路，其特征在于：所述直流电源Vcc1的输出电压为24V。

4.如权利要求2所述的单节镍氢电池过充电保护电路，其特征在于：所述光电耦合器OC的集电极通过第六电阻R6分别与直流电源Vcc2及CON3接线接口J2的端口1连接，所述光电耦合器OC的发射极通过二极管D2与CON3接线接口J2的端口2连接。

5.一种由权利要求2所述的单节镍氢电池过充保护电路组合成的组合镍氢电池过充电保护电路，其特征在于：包括两个以上镍氢电池组成的镍氢电池组、与各子电池一一对应的所述主电路、与各子电池一一对应的所述第一控制电路以及所述镍氢电池组共用的所述第二控制电路；

各子电池所对应的第一控制电路中各所述P型MOS管的漏极D依次通过二极管、电阻与所述第二控制电路中的所述N型MOS管NQ栅极G相接。