[实用新型]晶圆旋转脱离装置有效
申请号: | 201320239164.0 | 申请日: | 2013-05-06 |
公开(公告)号: | CN203288572U | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 陈孟端 | 申请(专利权)人: | 正恩科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;李静 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 旋转 脱离 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及发光二极管晶圆,尤其涉及发光二极管晶圆的固定装置。
背景技术
请参阅“图1”与“图2”所示,发光二极管晶圆1在制造完成之后,必须进行晶圆减薄加工,其包含研磨与抛光操作,以进行后续的晶圆切割、封装等操作。
已知发光二极管晶圆1在减薄加工时,必须加以固定不动,由于发光二极管晶圆1的厚度相当的薄,为避免裂缝或破片,无法使用一般半导体工艺使用的真空吸附固定装置,已知为将多个发光二极管晶圆1利用加热后熔化的固定腊2黏着固定于一圆盘3上,待冷却硬化后,以进行研磨与抛光。在研磨及抛光操作完毕之后,必须将圆盘3加热使固定腊2熔化,并在取下晶圆1后使用清洗溶剂清除残余固定腊,该操作耗时极长,并且须特别注意残蜡问题,其为目前发光二极管晶圆1提升工艺良率与生产效率的瓶颈之一。
请再参阅“图3”所示,为解决上述已知固定方式的问题,已有人利用一胶膜4、一铁环5与一吸盘6来固定发光二极管晶圆1,其中,该胶膜4具有一黏贴面4A与一底面4B,该胶膜4的黏贴面4A固定于该铁环5下,并且该胶膜4的黏贴面4A黏贴发光二极管晶圆1,而该吸盘6具有提供负压的一吸附面6A,该吸附面6A为吸附该胶膜4的底面4B;故可使发光二极管晶圆1黏贴固定于该胶膜4上,以直接利用该吸盘6来吸附该胶膜4而间接固定该发光二极管晶圆1,且可以进一步利用磁铁(图未示)以吸附铁环5以进一步固定发光二极管晶圆1。
然而,利用磁铁吸附铁环5的固定方式,虽然大大地加强固定发光二极管晶圆1的可靠性,然而却会造成移载发光二极管晶圆1的困扰,当施力不当时,可能会造成发光二极管晶圆1弯曲,而有使发光二极管晶圆1产生裂缝的可能,而降低工艺良率。
实用新型内容
于是,本实用新型的主要目的在于披露一种利用磁铁吸附铁环且方便移载铁环的脱离装置。
基于上述目的,本实用新型为一种晶圆旋转脱离装置,用于承载固定有一晶圆的一铁环,该晶圆旋转脱离装置包含:一磁铁固定座,磁铁固定座的表面具有多个磁铁与多个弧槽,多个磁铁与多个弧槽排列为圆环状,且多个弧槽为等分均匀地分散排列;一铁环座,铁环座承载铁环且具有对应于多个弧槽的多个滚轮,铁环座使多个滚轮间隔开并能相对转动地叠设于磁铁固定座上,并且铁环座使多个滚轮具有位于多个弧槽内的一固定位置与脱离多个弧槽的一移载位置。
进一步地,多个弧槽的数量为四个。
进一步地,铁环座具有环绕设置的多个开槽,且当多个滚轮位于固定位置时,多个开槽正对地显露多个磁铁。
进一步地,铁环座具有承载铁环的一承载板与一转动座,且承载板具有一环状帽缘,环状帽缘能转动地套合转动座,而使承载板与转动座具有轴向位移的自由度,且多个滚轮枢接于环状帽缘上并位于承载板与磁铁固定座之间。
据此,本实用新型的该铁环座相对该磁铁固定座转动并使该多个滚轮转动至该多个弧槽内时,此时该多个磁铁与该铁环的距离最近,也即,可使该多个磁铁吸附该铁环的磁力达到最高,而当该多个滚轮转动而脱离该多个弧槽时,该多个滚轮即可撑开该铁环座与该磁铁固定座,而使该铁环座与该磁铁固定座之间形成间隙,故可以抬高该铁环并减少该多个磁铁固定该铁环的磁力,即可方便移载固定有该晶圆的该铁环,而满足使用上的需求。
附图说明
图1为已知发光二极管晶圆结构图。
图2为已知发光二极管晶圆固定示意图。
图3为另一已知发光二极管晶圆固定示意图。
图4为本实用新型固定位置俯视结构图。
图5为本实用新型固定位置侧视结构图。
图6为本实用新型移载位置俯视结构图。
图7为本实用新型移载位置侧视结构图。
图8为本实用新型使用示意图。
具体实施方式
有关本实用新型的详细说明及技术内容,现就配合图式说明如下:
请参阅“图4”、“图5”、“图6”与“图7”所示,本实用新型为一种晶圆旋转脱离装置,用于承载固定有一晶圆10的一铁环20(如“图8”所示),其包含一磁铁固定座30与一铁环座40,其中,该磁铁固定座30的表面具有多个磁铁31与多个弧槽32,其中,该多个弧槽32的数量优选地可以为四个,且该多个磁铁31与该多个弧槽32排列为圆环状,且该多个弧槽32为等分均匀分散排列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造